半導體材料設計與製造商Soitec宣布，已與力積電(PSMC)建立策略合作夥伴關係，共同推動先進晶片技術的發展。

根據這項合作協議，Soitec將提供力積電300mm 晶圓，這些晶圓整合了離型層，並已為「電晶體層轉移 (Transistor Layer Transfer, TLT)」技術做好準備。這些晶圓將成為全新晶圓級 3D 晶片堆疊技術展示的基礎。

TLT晶圓的核心是結合了Smart Cut技術和紅外線 (IR) 雷射剝離製程。這種專有方法能夠在TLT晶圓上形成厚度介於5奈米至1微米之間的超薄半導體層。一旦元件製造完成，紅外線雷射製程便能實現薄層的無應力、無損壞剝離，並以高精度將其轉移到目標晶圓上。

這項技術為未來的半導體提供更高的效能、更優異的能源效率，以及更小的面積。對智慧型手機、平板電腦、AI 系統和自動駕駛平台等應用來說，是極為理想的解決方案。

此製程實現了電晶體層的垂直堆疊，支援3D電晶體架構的開發，包括帶有背面供電網路 (PDN) 的垂直場效電晶體 (FET)，為系統級整合提供了新的可能性。