於2025年國際光電工程學會（SPIE）光罩技術暨極紫外光微影會議（美國加州蒙特雷市）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了兩項有關單次壓印極紫外光（EUV）微影的突破性進展：（1）間距為20奈米的導線圖形，包含與鑲嵌金屬化製程相關的13奈米圖形端到端（tip-to-tip，簡稱為T2T）關鍵尺寸（CD），以及（2）在20奈米間距下，利用直接金屬蝕刻（direct metal etch）製程取得的釕（Ru）導線電性測試（electrical test）結果。

利用直接金屬蝕刻，經單次曝光High-NA EUV微影所製出的18奈米間距釕（Ru）導線。

這些成果部分由歐盟的奈米晶片試驗製程來推動實現，不僅為推進High-NA EUV圖形化的單次壓印性能立下重大里程碑，也突顯imec與艾司摩爾（ASML）之間的夥伴關係對推動High-NA EUV進入量產的更廣大生態系統所發揮的關鍵作用，突破2奈米以下的邏輯技術發展途徑。

imec在今年2月舉行的SPIE先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）展示20奈米間距的金屬化導線結構後，如今運用單次曝光High-NA EUV微影步驟，實現包含13奈米T2T關鍵尺寸的20奈米間距導線圖形。針對13奈米的T2T結構，已測得最小只有3奈米的局部關鍵尺寸一致度（local CD uniformity），立下業界里程碑。這些成果利用金屬氧化物阻劑（MOR）來實現，該阻劑透過塗佈底層、光瞳形照明與光罩選擇來進行協同優化。

為了把金屬導線微縮到20奈米以下，業界未來可能會改用替代的金屬化方案。imec的第二項成果是展示釕（Ru）直接金屬蝕刻與單次曝光High-NA EUV微影的相容性。我們成功製出20奈米與18奈米間距的釕（Ru）導線，其中包含15奈米T2T結構與功能正常的內連導線，並達到低電阻。在20奈米間距的金屬化導線結構方面則取得了100%的電氣測試良率。