隨著生成式AI技術的快速發展，全球記憶體市場需求急劇上升，這波趨勢不僅刺激了全球供應鏈的加速轉型，也為中國記憶體產業帶來嶄新的發展契機。長鑫存儲（CXMT）等中國企業，正憑藉技術突破與市場拓展，努力縮短與全球領先企業的差距，為整個產業的競爭格局注入新的變數。

根據Counterpoint Research的報告顯示，長鑫存儲在2024年占全球DRAM產能的13%，並將在2025年進一步提升至接近美光（Micron）的規模。雖然目前每片晶圓的產量相較競爭對手低42%，但隨著技術進步，該差距有望縮小至32%。這一發展標誌著中國記憶體企業逐漸在全球市場站穩腳跟。

同時，長鑫存儲積極推動技術升級，計劃在2025年量產等同於國際競爭對手「1z」製程的「Gen 4」技術，並開始大規模生產DDR5記憶體。然而，DDR5記憶體的良率仍低於50%，其能否如期實現市場化尚需觀察。此外，長鑫存儲也在開發高介電常數金屬閘極（HKMG）與3D DRAM技術，這些創新技術將成為其未來在全球市場提升競爭力的關鍵。

美國對中國記憶體產業的設備出口限制為該領域帶來挑戰，但同時也促進了中國在設備與材料上的本地化進程。長鑫存儲已購置2025年擴產所需的設備，即便面臨出口限制，其現有產能擴充計劃不會受到影響。不過，從2026年開始的擴產計劃，將需要依賴國產設備與技術，這對中國的本地供應鏈提出更高要求。

中國政府也對記憶體產業提供強力支持，2025年預計將補貼範圍從移動記憶體市場擴展至PC與伺服器DRAM市場。然而，若美國對中國製造產品實施更高關稅，可能會削弱這些補貼的實際效益。

生成式AI和電動車的發展，正為記憶體產業創造巨大的需求增長。例如，NVIDIA推出的個人超級電腦 Project Digits，採用了128GB的LPDDR5X記憶體，這表明高階記憶體在生成式AI應用中的重要性。與此同時，中國記憶體製造商在中低階市場上更具成本優勢，有望在電動車、物聯網等領域發揮更大作用。