帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
英飛凌與日本昭和電工簽約 穩固SiC產品材料供應
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2021年05月11日 星期二

瀏覽人次:【3655】

英飛凌科技宣布,已與日本晶圓製造商昭和電工簽訂供應契約,供應包括磊晶在內的各種碳化矽材料(SiC)。英飛凌因此可獲得更多基材,滿足對SiC產品日益漸增的需求。

英飛凌與昭和電工簽訂供應契約,供應包括磊晶在內的各種碳化矽材料(SiC)。
英飛凌與昭和電工簽訂供應契約,供應包括磊晶在內的各種碳化矽材料(SiC)。

英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer表示,英飛凌提供多樣化且快速擴展的產品組合,展現在支持與打造SiC半導體市場方面的領導地位,該市場預計在未來五年內的年增長率可達30%至40%。

他強調,與昭和電工的合作將\擴大晶圓供應商基礎,是英飛凌在這一市場中多源策略重要的一步,將穩固支援達成中長期的目標。此外,英飛凌也計畫在策略開發材料方面與昭和電工合作,以提升品質並降低成本。

昭和電工資深執行董事Jiro Ishikawa表示,很自豪能夠為英飛凌提供同級最佳的SiC材料以及最先進的磊晶技術。昭和電工的目標是持續改進SiC材料的品質並開發新一代技術,而飛凌是出色的合作夥伴。

英飛凌與昭和電工之間簽訂兩年期的合約,且可續約。

關鍵字: SiC  Infineon(英飛凌
相關新聞
英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能
TI創新車用解決方案 加速實現智慧行車的安全未來
英飛凌站上全球車用MCU市場龍頭 市占率成長至29%
英飛凌與Amkor深化合作關係 在歐洲成立專用封裝與測試中心
英飛凌榮獲群光電能頒發「氮化鎵策略合作夥伴獎」
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 以協助因應AI永無止盡的能源需求為使命
» 低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力
» P通道功率MOSFET及其應用
» 運用能量產率模型 突破太陽能預測極限
» 新一代4D成像雷達實現高性能


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.217.203.172
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw