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恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 报导】   2021年07月07日 星期三

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降低能源消耗(energy consumption)为电信基础设施的主要目标之一,其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化??可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%,比公司上一代模组高出8%。恩智浦半导体(NXP Semiconductors)将整合氮化??(GaN)技术至恩智浦多晶片模组平台,此为5G效能领域的重要产业里程碑。恩智浦位於美国亚利桑那州的氮化??晶圆厂为美国专门制造射频功率放大器最先进的晶圆厂,基於对该晶圆厂的投资,恩智浦率先推出5G大规模MIMO射频解决方案,该解决方案结合了氮化??的高效率与多晶片模组的紧凑性。

恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组 实现高效能行动网路
恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组 实现高效能行动网路

恩智浦透过在单个装置中采用专利组合LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)和氮化??技术,进而提高效能,可提供400 MHz的瞬时频宽,仅用一个功率放大器即可完成宽频射频设计。

恩智浦小尺寸5G多晶片模组现在可实现上述能源效率和宽频效能。全新产品组合将使射频开发人员减少无线电单元的尺寸和重量,帮助行动网路营运商降低在蜂窝式基地台和屋顶部署5G的成本。在单个封装中,模组整合了多级(multi-stage)传输链(transmit chain)、50欧姆(ohm)输入/输出匹配网路和Doherty设计。恩智浦现在使用其最新SiGe技术添加偏压控制,该全新整合步骤实现无需再使用单独的模拟控制IC,即可对功率放大器效能提供更严密的监控和最隹化。

如同上一代模组,全新装置均为引脚相容。射频工程师可以在多个频段和功率等级扩展单个功率放大器设计,缩短设计周期时间,进而在全球加速推出5G。

關鍵字: 5G  GaN  NXP 
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