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KLA全新电子束缺陷检测系统 以深度学习提供先进IC缺陷检测方案
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年07月21日 星期二

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KLA公司今天宣布推出eSL10电子束图案化晶圆缺陷检测系统。该系统旨在通过检测来发现光学或其他电子束缺陷检测系统无法稳定侦测的缺陷,加快高性能逻辑和记忆体晶片,其中包括那些依赖於极紫外线(EUV)光刻技术的晶片的上市时间。

KLA全新的eSL10电子束图案晶圆缺陷检测系统采用独特的技术发现并且识别先进逻辑、DRAM和3D NAND器件上的关键缺陷
KLA全新的eSL10电子束图案晶圆缺陷检测系统采用独特的技术发现并且识别先进逻辑、DRAM和3D NAND器件上的关键缺陷

eSL10采用全新设计,采用了多年研发的多项突破性技术,可提供高分辨和高速的缺陷检测。「因其采用单一的高电流密度电子束,eSL10系统将电子束检测性能提高到了一个全新的水平。」KLA电子束部门总经理Amir Azordegan表示:「在此之前,电子束检测系统仅能提使用者选择侦测供灵敏度或速度,这严重限制了其实际应用。我们杰出的工程团队采用了全新的电子束架构和演算法,设计出一套新系统可以解决现有检测仪无法解决的问题。今天,KLA将新型电子束检测仪成为尖端器件制造中至关重要的设备之一。」

eSL10电子束检测系统采用多项革命性技术,使其有能力填补目前关键缺陷检测的空白。独特的电子光学设计可提供业内最广泛的操作范围,可捕获各种设备制程中的缺陷。Yellowstone扫描模式在每次扫描中收集100亿像素的资料,并支持高速运算,同时又不会影响分辨率,这样可以在广阔的区域内有效地计算侦测可疑热点或发现缺陷。

Simul-6传感器技术通过一次扫描即可收集表面、形貌、材料对比度和沟槽深度等信息,从而减少了在具有挑战性的结构和材料中识别不同缺陷类型所需的时间。

凭藉其先进人工智能(AI)系统,eSL10采用深度学习演算法,可针对IC制造商不断发展的检测要求进行调整,并将产品性能最关键的缺陷分离出来。

三维产品架构中,例如用於记忆体的3D NAND和DRAM,以及用於逻辑的finFET和闸极全环(GAA)晶体管,使得晶圆厂需要重新考虑传统的缺陷控制策略。eSL10与KLA的旗舰39xx (“Gen5”) 和 29xx (“Gen4”)宽带光学晶片缺陷检测系统相结合,为先进IC技术提供了强大的缺陷检测和监控解决方案。这些系统结合可以提高良率和可靠性、更快发现关键缺陷,并能够更快地解决从研发到生产的缺陷问题。

新的eSL10架构内置可扩充性,可以在整个电子束检测和量测领域内延伸其应用。全球已有领先的逻辑、记忆体和代工制造商采用eSL10系统,并用於协助开发、提升和监测新一代制程和产品制造。

關鍵字: EUV  3D NAND  KLA 
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