随着 2 奈米以下制程逐步逼近量产阶段，High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）设备被视为延续摩尔定律的重要关键。然而，在技术突破的光环之下，产业界也开始讨论一个更现实的问题：当导入门槛与投资规模再创新高，是否将进一步加速全球半导体产业的寡占化？

高数值孔径极紫外光刻机

High NA EUV 相较於现行 EUV 系统，透过更高的数值孔径提升解析度，使晶片制造能在更少的多重曝光步骤下完成更细微的线宽图案化。这对於 2 奈米以下节点的逻辑晶片而言至关重要，不仅有助於提升电晶体密度，也可改善功耗与效能表现。然而，这项技术升级的代价极为惊人。单一 High NA EUV 设备价格已突破数亿美元，整体产线建置更涉及全新的光学系统、光罩设计、厂房震动控制与温度稳定条件，对晶圆厂而言是一项庞大的系统工程。

先进制程的资本支出原本就呈现急速攀升趋势，从 5 奈米、3 奈米到 2 奈米，每一次节点演进都需要数百亿美元等级的投资。High NA EUV 的导入，使得门槛再度抬高。未来能够稳定量产 2 奈米以下制程的厂商，可能仅限於少数具备深厚资本与长期技术积累的企业。这意味着先进制程的供应来源将更加集中，晶片设计公司对少数晶圆代工厂的依赖度可能进一步提高，议价能力与产能分配权也将更偏向制造端。

然而，产业的发展并非单一路径。High NA EUV 所带来的高昂成本，也迫使晶片设计思维出现转变。愈来愈多企业开始强调Chiplet架构与 3D 封装整合，以系统层级创新来弥补单纯制程微缩的边际效益下降。这使得先进制程虽可能更加集中，但封装与异质整合领域的竞争反而更加活跃。换言之，产业权力的重心正在从「单一制程优势」转向「系统整合能力」。

此外，High NA EUV 也涉及关键设备供应链的高度集中与地缘政治敏感性。光刻设备作为战略性技术资产，各国政府正透过晶片法案与补贴政策积极布局本土半导体能力，但完整复制先进制程生态系并非短期内可行。这进一步强化了既有领导厂商的技术与资本优势。

综合观察，High NA EUV 的确提高了先进制程竞赛的门槛，短期内将使产业集中度上升。然而，半导体产业的竞争格局并非只由线宽决定。当制程微缩愈发昂贵且复杂，创新将更多地来自架构设计、封装整合与应用场景优化。High NA EUV 不仅是一项设备升级，更可能成为产业版图重组的转折点。在这场技术与资本并行的竞赛中，谁能平衡成本、效能与生态系整合能力，将决定下一阶段半导体权力结构的走向。