Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。

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CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件。CGD 的 ICeGaN 采用 TSMC 的 GaN 制程技术，已为全球客户进入量产阶段，将典型外部驱动电路的复杂性导入到单片整合的 GaN HEMT 之中。此概念能从 PCB 级减少元件数量，大幅提升功率电晶体和整个系统的耐用性与可靠性，同时使用者也能自行选择所要的闸极驱动器与其耦合。

ICeGaN 为业界首创：可以用与 Si MosFET 一样的方式驱动 GaN eMode HEMT。ICeGaN 靠着为市场带来的产品差异化获得认可，获创新区叁观者评选为「最隹展示」，TSMC 每年都会在欧洲最大的活动中透过创新区为新创客户展示最先进的产品。

CGD 执行长GIORGIA LONGOBARDI表示，CGD 对 TSMC 在高电压 GAN 领域的领导地位给予肯定，相信他们拥有全业界最成熟且可靠的制程，这是选择由TSMC为我们生产专有 ICEGAN 技术 SOC 的原因。因此很高兴能获颁 TSMC 这座宝贵的创新奖。

TSMC 欧洲分公司总经理PAUL DE BOT 表示「在此对 CGD 表示最热烈的祝贺，其创新技术获得认可当之无愧。TSMC 很高兴与 CGD 合作，将其简单易用的 650V ICEGAN GAN 电晶体大量供应给全球各个应用领域的公司，期待继续与 CGD 在 GAN 功率半导体技术领域密切合作。