SK hynix 发布 2026 年市场展??，指出随着生成式 AI、资料中心与HPC需求持续升温，以 HBM（高频宽记忆体）为核心的先进记忆体产品，将成为驱动产业成长的关键动能，并有机会引领新一波AI记忆体超周期。

SK hynix认为HBM将朝更高层数、更大容量与更低功耗方向演进。

SK hynix 指出，AI 模型规模快速扩张，对於记忆体频宽、容量与能效的要求大幅提高，传统 DRAM 已难以满足需求，使 HBM 在 AI 加速器与伺服器平台中的重要性显着提升。特别是在大型语言模型训练与推论应用中，HBM 能有效缩短资料存取时间、提升整体系统效能，已成为 GPU 与 AI 专用晶片不可或缺的关键元件。

展?? 2026 年，SK hynix 预期 HBM 将持续朝向更高堆叠层数、更大容量与更低功耗方向演进，并与先进封装技术深度整合，以支援下一代 AI 平台的运算需求。公司也强调，AI 应用的普及不仅推升高阶 HBM 需求，同时也将带动整体 DRAM 与 NAND 市场结构转变，使产品组合朝高附加价值发展。

在供应面方面，SK hynix 表示将审慎推进产能与资本支出策略，聚焦於先进制程与高阶产品，以因应 AI 市场的长期成长趋势。整体而言，随着 AI 应用从云端延伸至企业与边缘端，记忆体产业正进入以 HBM 为核心的新成长阶段，2026 年有??成为 AI 记忆体超周期的重要转折点。