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STT-MRAM技术优势多 嵌入式领域导入设计阶段
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 报导】   2019年09月12日 星期四

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目前有数家晶片制造商,正致力於开发名为STT-MRAM的新一代记忆体技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM(又称自旋转移转矩MRAM技术)具有在单一元件中,结合数种常规记忆体的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪记忆体的稳定性与耐久性。STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在晶片中提供非挥发性储存的功能。

MRAM技术高度复杂,因此其发展历程比预期的时间还更长。
MRAM技术高度复杂,因此其发展历程比预期的时间还更长。

只不过,这项技术看起来虽然有其优势,却也高度复杂,这就是为什麽它的发展历程比预期的时间还更长。包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundries 等,都正在持续开发STT-MRAM技术。尽管如此,晶片制造商在其晶圆设备上面临到一些挑战,例如必须改进现有的生产设备,并将其升级到支援28nm或22nm以上的制程。此外,在生产过程中,测试也将发挥关键的作用。STT-MRAM需要新的测试设备,用於测试其磁场状况。除此之外,还包括在生产流程中的不同位置,例如晶圆厂中的生产阶段、测试平台、或者後测试等,都需要更为严格的检测流程。

即便如此,挑战仍然存在。当MRAM晶片在强磁场中运作时,MRAM测试就会产生新的状况。在非磁性的储存设备中,不必担心这一点。然而对於MRAM来说,环境中的磁场就成了一个新的考量因素。通常,在操作期间需要利用强磁场来干扰STT-MRAM,这是需要经过验证并加以解决的问题。产业界目前正密切关注STT-MRAM,因为该储存技术已经开始被嵌入式领域的客户用於产品设计的阶段。

關鍵字: MRAM 
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