意法半导体基于BiCMOS的射频收发器可让行动网路回程线路数据速率高达10Gbps，同时提升毫米波段的频谱效率

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意法半导体（STMicroelectronics，ST）的BiCMOS55 SiGe先进技术获欧洲E3NETWORK研发专案采用，用于开发适合下一代行动网路的高效率、高容量数据传输系统。

为因应行动数据使用量的迅速成长，网路系统必须支援更大的容量及更高的数据传输速率。而如何加快行动网路向先进网路架构转型的速度，对回程线路（backhaul）基础设施是一个新的挑战，例如异质网路（Heterogeneous Network）与云端无线存取网路（Radio Access Network，RAN） ，其中更高频段（例如E-band：71-76和81-86 GHz频段，适用于超高容量的点对点通讯）可提供更广泛的频谱，以支援更快的数据传输通道。

建设这些超高效率的行动网路，设备厂商必须要拥有高性能且低功耗、低成本的大规模整合电路电子元件。 E3NETWORK研发专案利用意法半导体的高整合度、低功耗BiCMOS55Si制程，开发出55奈米微影的Ft高达320GHz的异质接面双极电晶体（Heterojunction Bipolar Transistors，HBT）。这项制程允许在一颗晶片上整合高频类比模组及高性能、高容量的数位模组，例如逻辑电路、AD／DA转换器和记忆体。

ST的BiCMOS技术将两种不同制程的优势整合在一颗晶片上，双极电晶体提供高传输速率及高增益，这对于高频类比电路至关重要。透过在一颗晶片上整合射频、类比及数位电路，不仅大幅降低了周边设备的数量，亦能够同时进行功耗最佳化。

E3NETWORK专案采用意法半导体的BiCMOS55制程，目前正在研发一个整合化的E-band收发器，将用于去程线路（Fronthaul）及回程线路网路基础设施，以实现数位多层调变，及高度聚焦的笔形束（Pencil-beam）传输，数据速率可高达10Gbps。笔形束的特性有助于提高回程线路及去程线路网路频率再使用率，同时在毫米波段（millimeter-wave）间隔期间确保频谱效率（Spectrum efficiency）不受影响。

作为欧盟第７框架计划中的一项专案，E3NETWORK （Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）汇集了众多企业，其中包括CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德国）、阿尔卡特朗讯（义大利）、CEA（法国）、INXYS（西班牙）、OTE （希腊）、SiR（德国）、Sivers IMA（瑞典）以及意法半导体（义大利）。 （编辑部陈复霞整理）