随着先进半导体封装与精细制程持续朝高解析、高效率的演进，关键光源技术成为设备效能升级的核心。新唐科技（Nuvoton Technology）近日推出一款高功率紫外光半导体雷射二极体，波长379 nm、连续波（CW）光学输出功率达1.0 W，并封装於直径仅9.0 mm的 TO-9（CAN）金属封装中。此一量产被视为紫外雷射在无光罩微影与多元工业应用上，向更短波长与更高输出功率迈进的重要一步。

高功率紫外光雷射二极体的波长379 nm、连续波（CW）光学输出功率达1.0 W，推动无光罩微影技术在先进半导体封装中的精细图案化和高产能，将於2026年3月开始量产。

从技术背景来看，紫外半导体雷射长期面临两大挑战：其一是短波长材料系统下，光电转换效率（WPE）偏低，导致在高输出功率操作时产生大量热能；其二则是紫外光本身对元件材料造成的老化效应，使得稳定寿命与可靠度难以兼顾。特别是在1.0 W以上的输出区间，热失控与性能衰退往往成为量产与实务导入的关键障碍。

新唐指出，此次量产的379 nm紫外雷射透过「器件结构」与「封装散热」双管齐下的策略所完成。在元件设计上，除了优化发光层与光导层结构，亦导入专有的掺杂剖面控制技术，降低内部光吸收损失与操作电压，使电能能更有效率地转换为光输出，从源头改善WPE表现。这种结构设计，对於短波长紫外雷射尤为关键，直接影响可达输出功率与长时间稳定性。

在封装层面，新唐采用高热传导的先进封装架构，强化雷射晶片与外壳之间的散热路径。使得「短波长、高输出功率、长效运作」三项紫外雷射指标能够实现在单一产品兼顾效能。

从应用面观察，379 nm波长已相当接近传统 i 线（365 nm）光源，被视为无光罩微影技术中兼顾解析度与系统可行性的关键区段。随着先进封装朝向更细微线宽与更高产能发展，高功率紫外半导体雷射可提供更精细的图案化能力，同时提升曝光与制程效率，为设备端带来实质效益。

在全球逐步汰换含汞光源的政策与产业趋势下，预计高功率、长寿命的紫外半导体雷射，将成为树脂固化、精密标记、3D 列印、生物医学与各式工业紫外应用的重要替代光源。这款379 nm、1.0 W紫外半导体雷射二极体预计2026年3月起量产供货。