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研发存储级记忆体! 旺宏与IBM续攻相变化记忆体技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2018年12月25日 星期二

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旺宏电子(Macronix)董事会昨日决议通过,将与IBM签订合约,继续进行「相变化记忆体(PCM)」的合作开发。双方将共同分担研发费用,为期3年,合约计画期间为明年1月22日至2022年1月21日。

2015年旺宏便与IBM共同发表了一颗使用90奈米制程容量为512Mb的相变化记忆体样品。
2015年旺宏便与IBM共同发表了一颗使用90奈米制程容量为512Mb的相变化记忆体样品。

而双方合作的目标,就是要持续研发所谓「存储级记忆体(Storage Class Memory)」的技术。

储存级记忆体技术是IBM在2008年所提出,它是一种在DRAM和NAND Flash SSD之间的新记忆体,能进一步提升电脑的处理效能。

旺宏电子曾在《奈米通讯》里指出,储存级记忆体有两种形式,一种是偏DRAM,称之为记忆型式存储级记忆体(Memory Type Storage Class Memory),这种形式会跟DRAM一起工作,DRAM可将资料先行储存在记忆型式存储级记忆体,以解决DRAM不具有挥发性的问题。

另一种形式则是比较偏向固态硬碟,是取代目前的固态硬碟,其名称为储存型式存储级记忆体(Storage Type Storage Class Memory),但这种形式的记忆容量要追上目前以NAND为基础的固态硬碟已是不太可能。

也因此,旺宏电子希??发展的产品应用,便是记忆形式的储存级记忆体。

在目前的前瞻记忆体技术里,包含磁性记忆体(MRAM)、相变化记忆体(PCM)、电阻式记忆体(RRAM)等。旺宏则是看好PCM的应用潜力,并与IBM合作,共同研发相关的技术。

2014年时,IBM就在国际电子元件会议(Internationlectron Device Meeting)中,提出了PCM具有做为储存式记忆体具的潜力。

隔年,2015年的超大型积体技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上,旺宏便与IBM共同发表了一颗使用90奈米制程容量为512Mb的相变化记忆体样品。

旺宏指出,降低成本是发展PCM的最大挑战,但多值化操作将可以有效的降低成本。此外,多值化操作也可使记忆体的记忆容量大幅提升,但记忆体的元件效能将会有所减损。不过使用目前制程技术的样品已展现极隹的性能,看好PCM有机会做为存储级记忆体的应用。

關鍵字: 相变内存  旺宏 
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