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英飞凌量产0.11微米制程
可提升50%之晶片产出

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年04月30日 星期三

浏览人次:【4058】

英飞凌科技(Infineon)宣布该公司的0.11微米DRAM产品已进入量产阶段。以全新的0.11微米制程所制造的高密度256Mb DRAM样品,不仅获得英特尔的验证,并已出货予各地之策略伙伴。此全新制程技术可大幅缩小结构,减少晶片尺寸,并降低30%之单一晶片制造成本。此外,与英飞凌先前的0.14微米DRAM制程技术相比,0.11微米制程技术可将每片晶圆的晶片产出提升50%以上。

Infineon_110nm_HiRES
Infineon_110nm_HiRES

英飞凌营运长暨管理会委员Andreas von Zitzewitz博士表示,「英飞凌最新的256Mb DRAM是业界最小的256Mb产品。此产品结合了精密的0.11微米制程与英飞凌的专利沟槽式(trench )技术,因此,英飞凌的晶片尺寸较其他竞争者产品减少10%,却仍能达到同样的效能。」0.11微米新制程技术是由英飞凌位于德勒斯登的8吋晶圆厂所开发,并将在8吋及12吋的生产线中,扩大量产高密度与高速记忆体晶片。在德雷斯登扩大量产新制程的期间,英飞凌也会将这项新技术转移予英飞凌晶圆厂丛聚(fab cluster),包括位于美国维吉尼亚州里奇蒙的晶圆厂、与南亚合资的华亚半导体(Inotera Memories),以及英飞凌的DRAM代工伙伴。

英飞凌是首先将193nm光学微影(lithography)技术,应用在0.11微米制程技术量产的DRAM制造商。未来更小尺寸的新世代制程技术均计划使用同样的光学微影技术,并将会受益于目前所得之经验。 256Mb DDR元件是首批使用0.11微米制程技术制造之产品,应用于个人电脑及伺服器。转换至较小的制程几何面积将有助于生产DDR2和Graphics RAM等高速记忆体晶片。此外,由于晶片尺寸缩小,因此记忆体的密度可以提升到每个晶片1Gbit。所有使用此制程生产的DRAM元件都是属于无铅与无卤素材料之环保技术。

關鍵字: 英飞凌科技  Andreas von Zitzewitz  动态随机存取内存 
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