法国科学家团队成功开发全球首款混合记忆体技术，突破了边缘AI（Edge AI）装置难以在本地同时进行高效「学习」与「推论」的技术瓶颈。这项发表於《自然?电子学》期刊的重大成果，为AI发展带来新契机。

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过去，用於AI推论的「忆阻器」（Memristor）不擅长学习，而适合学习的「铁电电容」（FeCAP）则无法有效推论，形成两难。法国团队的创新在於，将这两种元件的优势整合至单一、与现有CMOS制程相容的晶片上。

这个双模式系统能弹性切换：利用忆阻器执行快速的AI决策（推论），同时利用铁电电容进行精准、低功耗的模型更新（学习）。如此一来，诸如自动驾驶汽车、医疗感测器等边缘装置，便能即时从新数据中学习并进化，无需频繁依赖云端，大幅降低延迟与功耗。

该研究由法国电子暨资讯技术实验室（CEA-Leti）主导，其技术已在包含超过18,000个元件的晶片上成功验证，证实了其商业化的潜力。