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英特爾續攻先進封裝 發表Co-EMIB和ODI技術
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2019年07月11日 星期四

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半導體技術市場的風向球,正迅速從製程微縮轉向封裝技術,要實現創新應用,並同時達成低高耗與高效能,唯有從3D的封裝結構著手,也因此英特爾正積極布局其先進封裝技術。

在本週的舊金山SEMICON West,英特爾再度發表兩個先進封裝的技術進展,並推出了新的區塊架構,包括整合了EMIB和Foveros的Co-EMIB技術,以及全新的全定向互連(Omni-Directional Interconnect; ODI)技術。

英特爾先前所發布的EMIB和Foveros技術,是利用高密度互連技術來實現低功耗與高頻寬,其I/O的密度也能與其他競爭技術相當或者更好。其新發表的Co-EMIB技術則可實現更多運算性能和功能的整合。Co-EMIB允許兩個或更多個Foveros元件的互連,並具備單晶片的性能。設計人員也能以非常高的頻寬和極低的功耗連接類比,記憶體和其他區塊元件。

ODI則為封裝中的小晶片(chiplet)之間的通信提供了更好的靈活性。頂端的晶片可以與其他小晶片水平互連,類似於EMIB。但它還可以運用TSV技術與底層的晶片垂直通信,類似於Foveros。

ODI利用大型垂直的導通孔,直接從封裝基板向頂部晶片供電。大型的導通孔比傳統TSV大得多,具有更低的電阻,而透過堆疊實現更高頻寬和更低延遲,提供更強大的電力傳輸。同時,這種方法減少了底部晶面所需的TSV數量,減少了主動電晶體的面積,並優化了晶片的尺寸。

關鍵字: 3dIC  Intel(英代爾, 英特爾
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