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工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機
 

【CTIMES/SmartAuto 陳念舜 報導】   2024年01月17日 星期三

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面對現今人工智慧(AI)、5G構成的AIoT時代來臨,包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料,要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點。工研院今(17)日也發表與台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(Spin Orbit Torque MRAM;SOT-MRAM)領先國際。

工研院與台積電合作開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體SOT-MRAM,適用於記憶體內運算,且功耗僅為STT-MRAM的1%成果領先國際。
工研院與台積電合作開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體SOT-MRAM,適用於記憶體內運算,且功耗僅為STT-MRAM的1%成果領先國際。

其中透過工研院建立深厚的前瞻記憶體研發能量,與晶圓製造龍頭台積電雙方攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(SOT-MRAM),即由陣列晶片搭配創新的運算架構,適用於記憶體內運算,且功耗僅為STT-MRAM的1%成果領先國際。

工研院電子與光電系統所所長張世杰指出,工研院和台積電繼2023年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」(Symposium on VLSI Technology and Circuits)共同發表論文之後,今年更合作開發出兼具低功耗、10奈秒(nanoseconds;ns)高速工作等優點的SOT-MRAM單元,展現次世代記憶體技術的研發能量,維持半導體產業地位。

同時結合了電路設計完成記憶體內運算技術,進一步提升運算效能,並跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應用情境。雙方還將研發成果在「國際電子元件會議」(International Electron Devices Meeting;IEDM)共同發表論文,未來可將此技術應用在高效能運算(High Performance Computing;HPC)、AI人工智慧及車用晶片等領域。

關鍵字: 記憶體  高效能運算  工研院 
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