基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品。

記憶體大廠併購擴產補缺口，估2027年供給量可望上修。

自2024年起AI帶動HBM、DDR5、LPDDR5X等先進製程DRAM產品需求以來，Micron（美光公司）便持續執行美國ID1、新加坡HBM後段產能建設，並積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。

包含在台灣收購AUO台南廠2座、AUO Crystal台中廠，以及Glorytek台中廠，作為wafer probe（晶圓測試）、metallization（金屬化）、HBM TSV等各項用途；亦規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室，改用於DRAM metallization。據統計至2025年Q3，Micron在全球DRAM產業的營收市占率達到25.7%，排名第三。

根據DRAM產業最新調查，隨著Micron計畫以18億美元收購PSMC（力積電）在台灣銅鑼廠的土地及廠房、無塵室，但不含生產相關機器設備。未來雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係，既有利Micron增添先進製程DRAM產能，並提升PSMC供應的成熟製程DRAM量能，主要採用25nm、38nm製程，DDR4產線將暫時止步於容量較小的產品。

直到2026~2027年分批移入既有及新訂購的設備後，Micron將以DRAM先進製程的前段設備為主，並在2027年投入量產，估計銅鑼一期廠房在2027年下半年可貢獻的產能，將相當Micron於2026年Q4全球產能的10%以上。

預計在PSMC與Micron簽署合作意向書後，未來1年內將獲得Micron授權1Y nm製程，後續並有機會再取得1Z nm製程授權，可支持其提升DDR4產品容量，屆時全球DRAM產業供給將有上修空間。此舉將有利PSMC保持在consumer DRAM市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與Micron的先進產品線互相競爭。

有趣的是，儘管美國商務部長盧特尼克近日在出席Micron紐約州新廠動土典禮時首次宣布，將針對非美國生產的DRAM製造商課徵100%關稅。媒體一度認為，台灣的南亞科和華邦電將首當其衝。

但今日舉行董事會的南亞科總經理李培瑛仍老神在在，強調目前該公司並沒有在美國設廠的計畫，並將重心押注在DDR4。不僅2025年Q4產品出貨比重DDR5逾1%、DDR3約20%，近70%比重為DDR4及LPDDR4 DRAM；由於產能配置與需求轉移，DDR4與LPDDR4目前供應同樣偏緊，DDR5也將跟著漲價。

同時持續深化多元產品佈局，並優化DDR4與LPDD4的供應，以滿足消費市場需求。在技術與產能規劃上，新廠預計於2027年初開始裝機，提供具競爭力的次世代記憶體解決方案。