根據報導指出，中國在極紫外光（EUV）光刻機領域已完成原型機階段的進展。此一成果被視為中國推動高階半導體設備自主化的重要里程碑，也是外界所稱「中國曼哈頓計畫」的關鍵環節之一，顯示中國正積極嘗試突破先進製程設備長期依賴海外供應的結構性限制。

中國在EUV光刻機領域已完成原型機

EUV 光刻機被視為 7 奈米以下先進製程不可或缺的核心設備，長期由少數國際廠商掌握關鍵技術與供應能力。近年在地緣政治與出口管制因素影響下，中國難以取得最先進的光刻設備，使其半導體產業在高階製程發展上面臨明顯瓶頸。此次原型機進展，顯示中國已在光源系統、光學模組與整機整合方面取得初步成果，對於提升本土技術能量具有指標性意義。

不過，相關消息也指出，該 EUV 原型機距離量產與實際商用仍存在不小挑戰。包括曝光精度、系統穩定度、關鍵零組件良率，以及長時間運轉可靠性，仍有待進一步驗證與優化。此外，EUV 設備涉及高度複雜的跨領域技術整合，從高能量光源、精密反射鏡，到真空與控制系統，任何一項環節不足，都可能影響整體效能。

分析認為，中國此舉短期內尚難動搖全球先進製程設備的既有格局，但其戰略意義大於即時產業效益。透過持續投入資金、政策資源與研發能量，中國希望逐步建立自主可控的半導體設備體系，降低外部供應不確定性對產業發展的衝擊。