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KLA全新電子束缺陷檢測系統 以深度學習提供先進IC缺陷檢測
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年07月21日 星期二

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KLA公司今天宣布推出eSL10電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統。該系統旨在通過檢測來發現光學或其他電子束缺陷檢測系統無法穩定偵測的缺陷,加快高性能邏輯和記憶體晶片,其中包括那些依賴於極紫外線(EUV)光刻技術的晶片的上市時間。

KLA全新的eSL10電子束圖案晶圓缺陷檢測系統採用獨特的技術發現並且識別先進邏輯、DRAM和3D NAND器件上的關鍵缺陷
KLA全新的eSL10電子束圖案晶圓缺陷檢測系統採用獨特的技術發現並且識別先進邏輯、DRAM和3D NAND器件上的關鍵缺陷

eSL10採用全新設計,採用了多年研發的多項突破性技術,可提供高分辨和高速的缺陷檢測。「因其採用單一的高電流密度電子束,eSL10系統將電子束檢測性能提高到了一個全新的水平。」

KLA電子束部門總經理Amir Azordegan表示:「在此之前,電子束檢測系統僅能提使用者選擇偵測供靈敏度或速度,這嚴重限制了其實際應用。我們傑出的工程團隊採用了全新的電子束架構和演算法,設計出一套新系統可以解決現有檢測儀無法解決的問題。今天,KLA將新型電子束檢測儀成為尖端器件製造中至關重要的設備之一。」

eSL10電子束檢測系統採用多項革命性技術,使其有能力填補目前關鍵缺陷檢測的空白。獨特的電子光學設計可提供業內最廣泛的操作範圍,可捕獲各種設備製程中的缺陷。Yellowstone掃描模式在每次掃描中收集100億像素的資料,並支持高速運算,同時又不會影響分辨率,這樣可以在廣闊的區域內有效地計算偵測可疑熱點或發現缺陷。

Simul-6傳感器技術通過一次掃描即可收集表面、形貌、材料對比度和溝槽深度等信息,從而減少了在具有挑戰性的結構和材料中識別不同缺陷類型所需的時間。

憑藉其先進人工智能(AI)系統,eSL10採用深度學習演算法,可針對IC製造商不斷發展的檢測要求進行調整,並將產品性能最關鍵的缺陷分離出來。

三維產品架構中,例如用於記憶體的3D NAND和DRAM,以及用於邏輯的finFET和閘極全環(GAA)晶體管,使得晶圓廠需要重新考慮傳統的缺陷控制策略。eSL10與KLA的旗艦39xx (“Gen5”) 和 29xx (“Gen4”)寬帶光學晶片缺陷檢測系統相結合,為先進IC技術提供了強大的缺陷檢測和監控解決方案。這些系統結合可以提高良率和可靠性、更快發現關鍵缺陷,並能夠更快地解決從研發到生產的缺陷問題。

新的eSL10架構內置可擴充性,可以在整個電子束檢測和量測領域內延伸其應用。全球已有領先的邏輯、記憶體和代工製造商採用eSL10系統,並用於協助開發、提升和監測新一代製程和產品製造。

關鍵字: EUV  3D NAND  KLA 
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