隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高，是否將進一步加速全球半導體產業的寡占化？

高數值孔徑極紫外光刻機

High NA EUV 相較於現行 EUV 系統，透過更高的數值孔徑提升解析度，使晶片製造能在更少的多重曝光步驟下完成更細微的線寬圖案化。這對於 2 奈米以下節點的邏輯晶片而言至關重要，不僅有助於提升電晶體密度，也可改善功耗與效能表現。然而，這項技術升級的代價極為驚人。單一 High NA EUV 設備價格已突破數億美元，整體產線建置更涉及全新的光學系統、光罩設計、廠房震動控制與溫度穩定條件，對晶圓廠而言是一項龐大的系統工程。

先進製程的資本支出原本就呈現急速攀升趨勢，從 5 奈米、3 奈米到 2 奈米，每一次節點演進都需要數百億美元等級的投資。High NA EUV 的導入，使得門檻再度抬高。未來能夠穩定量產 2 奈米以下製程的廠商，可能僅限於少數具備深厚資本與長期技術積累的企業。這意味著先進製程的供應來源將更加集中，晶片設計公司對少數晶圓代工廠的依賴度可能進一步提高，議價能力與產能分配權也將更偏向製造端。

然而，產業的發展並非單一路徑。High NA EUV 所帶來的高昂成本，也迫使晶片設計思維出現轉變。愈來愈多企業開始強調Chiplet架構與 3D 封裝整合，以系統層級創新來彌補單純製程微縮的邊際效益下降。這使得先進製程雖可能更加集中，但封裝與異質整合領域的競爭反而更加活躍。換言之，產業權力的重心正在從「單一製程優勢」轉向「系統整合能力」。

此外，High NA EUV 也涉及關鍵設備供應鏈的高度集中與地緣政治敏感性。光刻設備作為戰略性技術資產，各國政府正透過晶片法案與補貼政策積極布局本土半導體能力，但完整複製先進製程生態系並非短期內可行。這進一步強化了既有領導廠商的技術與資本優勢。

綜合觀察，High NA EUV 的確提高了先進製程競賽的門檻，短期內將使產業集中度上升。然而，半導體產業的競爭格局並非只由線寬決定。當製程微縮愈發昂貴且複雜，創新將更多地來自架構設計、封裝整合與應用場景優化。High NA EUV 不僅是一項設備升級，更可能成為產業版圖重組的轉折點。在這場技術與資本並行的競賽中，誰能平衡成本、效能與生態系整合能力，將決定下一階段半導體權力結構的走向。