經過十多年的沉潛，次世代記憶體的產品，包含FRAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場。

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2017年5月，台積電技術長孫元成首次在其技術論壇上，由發表了自行研發多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取記憶體）和eRRAM（嵌入式電阻式記憶體）技術，分別預定在2018和2019年進行風險性試產，且將採用先進的22奈米製程。

研發這項技術的目標很清楚，就是要達成更高的效能、更低的電耗，以及更小的體積，以滿足未來智慧化與萬物聯網的全方面運算需求。目前包含三星與英特爾都在研發相關的產品與製程技術。

嵌入式記憶體製程是在晶圓層級中，由晶圓代工廠把邏輯IC與記憶體晶片整合在同一顆晶片中。這樣的設計不僅可以達成最佳的傳輸性能，同時也縮小了晶片的體積，透過一個晶片就達成了運算與儲存的功能，而這對於物聯網裝置經常需要數據運算與資料儲存來說，非常有吸引力。

以台積電為例，他們的主要市場便是鎖定物聯網、高性能運算與汽車電子等。

不過，目前主流的快閃記憶體因為採電荷儲存為其資料寫入的基礎，因此其耐用度與可靠度在20nm以下，就會出現大幅的衰退，因此就不適合用在先進製程的SoC設計裡。雖然可以透過軟體糾錯和演算法校正，但這些技術在嵌入式系統架構中轉換並不容易。所以結構更適合微縮的次世代記憶體就成為先進SoC設計的主流。