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SK hynix:HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2026年01月05日 星期一

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SK hynix 發布 2026 年市場展望,指出隨著生成式 AI、資料中心與HPC需求持續升溫,以 HBM(高頻寬記憶體)為核心的先進記憶體產品,將成為驅動產業成長的關鍵動能,並有機會引領新一波AI記憶體超週期。

SK hynix認為HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進。
SK hynix認為HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進。

SK hynix 指出,AI 模型規模快速擴張,對於記憶體頻寬、容量與能效的要求大幅提高,傳統 DRAM 已難以滿足需求,使 HBM 在 AI 加速器與伺服器平台中的重要性顯著提升。特別是在大型語言模型訓練與推論應用中,HBM 能有效縮短資料存取時間、提升整體系統效能,已成為 GPU 與 AI 專用晶片不可或缺的關鍵元件。

展望 2026 年,SK hynix 預期 HBM 將持續朝向更高堆疊層數、更大容量與更低功耗方向演進,並與先進封裝技術深度整合,以支援下一代 AI 平台的運算需求。公司也強調,AI 應用的普及不僅推升高階 HBM 需求,同時也將帶動整體 DRAM 與 NAND 市場結構轉變,使產品組合朝高附加價值發展。

在供應面方面,SK hynix 表示將審慎推進產能與資本支出策略,聚焦於先進製程與高階產品,以因應 AI 市場的長期成長趨勢。整體而言,隨著 AI 應用從雲端延伸至企業與邊緣端,記憶體產業正進入以 HBM 為核心的新成長階段,2026 年有望成為 AI 記憶體超週期的重要轉折點。

關鍵字: HBM4  HBM 
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