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旺宏電子3D NAND記憶體等四篇論文入選2017 IEDM
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2017年11月29日 星期三

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旺宏電子今日宣布,今年計有四篇論文入選國際電子元件大會IEDM,其中一篇探討3D NAND創新結構的論文更獲得大會評選為”亮點論文”(Highlight Paper),是今年台灣產學研界唯一獲選的亮點論文。

今年旺宏電子獲選為IEDM ”亮點論文”的研究成果,主要是揭露一個嶄新的3D NAND記憶晶胞架構。旺宏獨立研發的平坦垂直渠道型電晶體結構(Single-Gate Vertical Channel, SGVC),相較於其他大廠現有技術,以相同的堆疊層數卻可達到2至3倍的記憶體密度。

該篇研究成果顯示,旺宏的SGVC只要堆疊十六層,其記憶體密度即可達到現行閘極環繞型結構 (Gate All Around, GAA)所堆疊的四十八層效果。

此外,也因記憶晶胞為平坦垂直渠道型電晶體結構,因此可大幅減少幾何效應對於整體電性的敏感度,適合於需要頻繁讀取資料的各式應用,低層數的堆疊也有利於製程良率的提升,對於未來發展高密度、高品質的記憶體提供了一個更具競爭力的方案。

其他入選的三篇技術論文,一篇是藉由電腦模擬的協助,降低3D NAND中相鄰Wordline (WL)的干擾問題,一篇則為探討相變化記憶體所採用選擇器元件(Selector)的材料問題,旺宏研究人員發現,在TeAsGeSi(碲砷鍺矽)四種合成化合物中,若是摻入Se(硒),可促使Selector 具備更佳的電性開關行為,提供了現有相變化記憶體(Phase Change Memory, PCM)所需使用選擇器的一種良好選擇,另一篇則是探究ReRAM元件在高阻態(High Resistance State) 的變化機制。

旺宏電子自2003年起持續於IEDM發表論文,目前發表的論文數已超過60篇,近年來獲選的論文篇數常居台灣之冠,且幾乎每兩到三年即有論文獲選為”亮點論文”,目前累積篇數已達6篇之多,其中2012年更同時有兩篇研究成果入選為”亮點論文”。今年大會特別推薦的16篇”亮點論文”,所有投稿的台灣企業及學術研究機構中,僅有旺宏電子入選。

關鍵字: NAND Flash  旺宏 
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