帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
聯電技術授權爾必達 廣島廠產能將用於代工
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2008年03月20日 星期四

瀏覽人次:【3405】

爾必達與聯電(UMC)就合作發展日本的晶片代工業務達成協議。據了解,爾必達將獲得聯電的IP內核與先進邏輯技術,在廣島爾必達記憶體的12吋晶圓廠(E300 Fab)進行晶圓生產。兩公司將利用先進技術能力和地理優勢,共同為日本客戶生產SoC先進半導體晶片。

這個協議是兩家公司在2007年10月所發表的銅佈線、low-k絕緣膜、DRAM、PRAM技術合作開發計劃的延伸。由於過去合作過程順利,因此兩公司決定進一步深入合作技術開發,並架構生產合作的機制,目標是廣島晶圓廠產能的三成用於代工業務。

爾必達未來為了使市場起伏的DRAM業務維持穩定,將以代工業務作為另一個核心。爾必達認為,對於日本企業而言,該公司不僅地理位置近,而且與聯電並無市場競爭關係,因此是很適合的合作對象。

爾必達位於廣島的12吋晶圓廠,每月晶圓產能約為10萬片。目前產能的一半用於生產手機和數位家電用DRAM,其餘為個人電腦DRAM。爾必達計劃未來把競爭激烈的個人電腦DRAM生產轉移至與力晶半導體成立的合資晶圓廠,至於廣島晶圓廠產能的三成將用於邏輯晶片代工。目前爾必達正與聯電積極進行合作與技術接受事宜,預計2009年第一季左右正式量產。

關鍵字: SoC  爾必達  聯華電子 
相關新聞
Nordic Semiconductor支援CSA物聯網設備安全規範1.0
聯電蟬聯獲CDP氣候變遷及水安全雙A肯定 半導體業唯一
聯華電子「綠獎」八年促成68件跨域環境解方
聯電第三季營運受惠於電腦及通訊需求 22/28奈米營收占比達32%
Ansys半導體模擬工具通過聯電3D-IC技術認證
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.15.221.67
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw