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SEMI公布功率暨化合物半導體晶圓廠展望報告 年增率達23%
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年11月27日 星期二

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SEMI(國際半導體產業協會)今(27)公布業界第一份聚焦功率暨化合物半導體領域的全球晶圓廠資料 —「功率暨化合物晶半導體圓廠展望」(Power and Compound Fab Outlook),提供全面性的前段半導體晶圓廠資訊,並預測從2017至2022年,全球將興建16 個功率暨化合物半導體晶圓廠,整體產能將成長23%,每月投片量將達120萬(8吋約當晶圓)。

功率相關的晶圓容量和設施數量
功率相關的晶圓容量和設施數量

SEMI台灣區總裁曹世綸指出,「隨高階消費性電子產品、無線通訊、電動車、綠能建設、資料中心,還有工業 (IIoT) 和消費性物聯網 (IoT) 應用對能源效率的標準愈趨嚴格,功率元件所扮演的重要性也隨之與日俱增。」因應此趨勢,全球各地的半導體晶圓廠已針對電子產品的所有面向提升能源利用效率,包括電力的採集(power harvesting)、傳送、轉換、儲存和消耗,而成本架構和效能則扮演決定功率電子市場成長和技術普及速度的關鍵因素。

由於化合物材料的採用使得功率元件的能源效率大幅提升,「功率暨化合物半導體晶圓廠展望」報告著重於各個半導體晶圓廠所採用的化合物材料和技術。對於相關設備和材料市場,以及全球各區域功率暨化合物半導體晶圓廠產能和晶圓尺寸有興趣的人來說,這份報告都是一項必備商業工具。

報告內容重點

‧ 從2011到2022年的12年間,各季的晶圓廠相關數據

‧ 羅列超過890個項目,包括530座化合物相關和430多座功率相關廠房設施

‧ 以重點摘要、表格及圖表表示涵蓋各公司和晶圓廠的分析資料

‧ 依晶圓尺寸、產品種類和地區劃分,提供產能和投資相關數據

‧ LED、外延矽晶圓、IGBT、HEMT、MOSFET、BCD、MOCVD和其他元件的技術亮點

‧ 材料相關資訊,包括SiC、GaN、GaAs、InP、III-V和II-VI

‧ 過去、現在和未來預計的建物及設備投資(各季數據)

‧ 過去、現在和規劃中的晶圓廠產能(已裝機的各季數據)以及擴廠預測

‧ 晶圓廠現狀,包括全新投資計畫、晶圓廠停產和晶圓尺寸的轉變

欲瞭解更多關於「功率暨化合物晶圓廠展望」詳細資訊,請至SEMI官網。

關鍵字: SEMI 
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