記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體。此技術預計將藉由InGaZnO晶體的超低漏電特性實現低功耗DRAM。

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該技術於2024 年12月9日在美國加州舊金山舉行的 IEEE 國際電子元件會議 (IEDM) 上首次發表，由南亞科技和鎧俠共同開發。這項技術有望降低包括人工智慧、後5G通訊系統和物聯網產品等各種應用的功耗。

OCTRAM採用圓柱形 InGaZnO垂直電晶體作為單元電晶體。這種設計可適用於4F2 DRAM，與傳統的矽基 6F2 DRAM相比，在記憶體密度方面具有顯著優勢。

透過元件和製程最佳化，InGaZnO 垂直電晶體實現了超過 15μA/cell (1.5 x 10-5 A/cell) 的高導通電流和低於 1aA/cell (1.0 x 10-18 A/cell) 的超低截止電流。在 OCTRAM 結構中，InGaZnO垂直電晶體整合在高深寬比電容器的頂部（電容器優先製程）。這種佈局允許將先進電容器製程與 InGaZnO性能之間的相互作用分離。