Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出其SuperFET III 650V N 通道MOSFET 系列，这是公司推出的新一代MOSFET，能够满足最新的电信、伺服器、电动汽车(EV) 充电器及光伏产品对于更高功率密度、系统效率及出色的可靠性方面的要求。

SuperFET III MOSFET具备更佳效率、EMI 及耐用性，能够满足耐用性及可靠性方面的严苛要求。

SuperFET III MOSFET 系列兼具同类最佳化的可靠性、低 EMI、出色的效率以及热效能，适合于高效能应用。除了出色的效能特性，其广泛的封装选择更是锦上添花，赋予产品设计者更大的灵活性，对于尺寸受限的设计尤其如此。

Fairchild 大功率工业应用事业部副总裁兼总经理赵进表示︰「无论产业为何，我们的客户都在不断寻求以动态方式增强每一代新产品的效率、效能及可靠性，同时致力于加速新产品的上市。在设计全新SuperFET III MOSFET 时，除了可帮助客户满足其关键产品目标，我们还将确保元件可降低物料成本，缩减电路板空间以及简化产品设计。」

在任何驱动简易的超接面 MOSFET 中，SuperFET III 技术均可实现最低 Rdson，同时提供同类最佳效率。该产品能够实现这一优势是因为它采用了先进的电荷平衡技术，相较其 SuperFET II 前代产品，在封装尺寸相同的情况下，Rdson 可降低 44%。

SuperFET III 系列具有耐用性及可靠性，其中的关键因素在于其二极体以及优于其最相近竞争产品三倍的单脉冲崩溃能量 (EAS) 效能。 650V SuperFET III系列在关断期间具有较低的峰值汲源极电压，在低温运行时可增强系统可靠性，因为相较于室温，在接面温度为-25℃ 的条件下，崩溃电压自然而然地降低5%，且峰值汲源极电压在低温下会增加。

这些可靠性优势​​对于诸如光伏逆变器、不间断电源 (UPS) 及 EV 充电器等应用尤其重要，此类应用必须能够耐受更高或更低地外部环境温度。 SuperFET III MOSFET 系列今日上市。 （编辑部陈复霞整理）