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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年02月23日 星期五

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Diodes 公司推出资料传输线瞬态电压抑制器 (TVS) DESD3V3Z1BCSF-7,此产品适用於搭载差分讯号线路、时脉 5 Ghz 以上的先进系统单晶片,可为 I/O 埠提供优异的 TVS/ESD 保护,是 USB 3.1/3.2、Thunderbolt 3、PCI Express 3.0/4.0、HDMI 2.0a 及 DisplayPort 1.4 等高速介面不可或缺的元件。

Diodes 公司推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 接囗保?功能的超小型TVS
Diodes 公司推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 接囗保?功能的超小型TVS

现代化的 SoC 通常透过先进 CMOS 制程节点制造,更能承受 I/O 埠的瞬态电压和静电放电。传统 TVS 装置的输入通道电容往往过高,容易降低高速讯号品质,因为讯号会在接收系统的边界与 SoC I/O 埠的接头之间移动。DESD3V3Z1BCSF-7 采用 Diodes 公司自有先进制程,实现超低输入通道电容 (典型值 0.175pF)、低动态阻抗、低触发/保持/箝位电压,并采用超低电容的先进封装。精心的设计造就极低的??入损耗,符合 USB 3.1/3.2 和 Thunderbolt 3 等高速介面的讯号完整性要求。

「随着 USB Type-C 等先进介面日益普及,就愈有必要保护 Ghz 等级频宽的先进 SoC 连接埠。为确保这些 SoC 和 USB Type-C 连接埠可靠运作,现在最需要的就是极小型的 TVS,它们能提供高水准的保护,而不影响高速讯号的完整性。」Diodes 公司事业部总监 Timothy Chen 博士如此表示。

除了超低输出电容,DESD3V3Z1BCSF-7 亦提供优异的 ESD 保护,符合 IEC61000-4-2 最高 刡8kV 的空气与接触放电要求。本产品领先业界,实现箝位电压 (IPP = 3A 的典型值 VCL = 4.5V)、击穿电压 (最大 VBR = 9V)、反向隔绝电压 (最大 VRWM = 3.3V) 的最隹组合,而在 8/20μs 的短路波形上的峰值脉冲功耗 (PPP) 为 25W。

DESD3V3Z1BCSF-7 采用超小型晶片级 X2-DSN0603-2 封装,尺寸仅 0.6mm x 0.3mm,高度仅 0.3mm。

關鍵字: TSV  ESD保护  Diodes 
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