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Diodes可提升蕭特基二極體的效能達20%
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年07月13日 星期四

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【美國德州普拉諾訊】Diodes公司推出的SDT蕭特基二極體系列,使用先進的深溝製程,提供出色效能,且成本比平面型蕭特基二極體相近甚至更低。初始的29個裝置系列產品,採用熱效率封裝,提供阻流、自由轉輪、返馳與其他二極體功能,適合廣泛的產品應用,例如AC-DC充電器/轉接器、DC DC 上/下轉換及AC LED照明。

SDT蕭特基二極體系列採用熱效率封裝,提供阻流、自由轉輪、返馳與其他二極體功能。
SDT蕭特基二極體系列採用熱效率封裝,提供阻流、自由轉輪、返馳與其他二極體功能。

Diodes公司的創新深溝製程,使SDT蕭特基二極體系列可達到最低0.62V的順向電壓 (VF),及 3.5μA的漏電流。如此的效能造就傑出的功率效率,使終端系統設計採用更為精巧的外型。此系列產品中,提供5A至40A的最大平均整流電流額定,峰值重複反向電壓(VRRM)最高達120V,順向突波電流 (IFSM)最高達280A,確保完整溫度範圍內擁有可靠的系統運作。

PowerDI5、TO220AB及ITO220AB封裝選項,都能提供絕佳的熱能轉移特性,使SDT蕭特基二極體系列能在嚴苛的應用中進行可靠運作。這些封裝極為適合大量製造,SDP零件可做為直接替換零件,取代一般平面型蕭特基二極體。

關鍵字: 蕭特基二極體  Diodes  系統單晶片 
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