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儒卓力供貨高功率密度的威世N-Channel MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年02月19日 星期三

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SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外,該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗。

威世SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET的設計初衷就是要提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率。其採用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低於2mΩ級別中的最低輸出電容。
威世SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET的設計初衷就是要提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率。其採用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低於2mΩ級別中的最低輸出電容。

與採用6x5mm封裝的類似解決方案相比,TrenchFET Gen IV功率MOSFET佔用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%,從而實現了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試,符合RoHS要求且不含鹵素。

這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流;針對電訊、伺服器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關;用於伺服器和電訊設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器;電訊和伺服器電源中的OR-ing功能;用於開關電容器或開關箱轉換器的功率級;電動工具和工業設備中的電機驅動控制;以及電池管理模組中的電池保護和充電。

關鍵字: 儒卓力 
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