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SP推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體 提高可靠度與性能
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年05月06日 星期五

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SP廣穎電通正式推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體,DDR5具備高速度/低功耗特性,已是未來市場應用趨勢。SP廣穎首款新世代DDR5記憶體擁4800MHz超高頻率,以及最高32GB的容量,大幅升級使用者體驗。

SP廣穎電通推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體快速多工穩定高效
SP廣穎電通推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體快速多工穩定高效

DDR5 SODIMM記憶體,相較DDR4,無論是在速度、容量、還是可靠性均有顯著提升,擁4800MHz超高頻率,比DDR4標準頻率上限3200MHz提升了50%,擁更快的傳輸速度與更高的頻寬,提供多核心CPU更快速的響應速度。

1.1V超低工作電壓,降低單位頻寬功耗,節能省電;另配置電源管理晶片(PMIC-Power Management IC),將電源管理從主機板移至記憶體上,有效控制系統的電源負載,提供更穩定的電源供應,並提高記憶體的可靠度和性能。

DDR5 SODIMM採用8個Bank群組組合而成的32 Bank架構,比DDR4由4個Bank群組組成的16 Bank架構,多出1倍的存取可用性;簡言之,DDR5的每顆IC能存取的數據為DDR4的兩倍;且不同於DDR4在更新時無法執行其他操作,DDR5透過Same Bank Refresh功能,讓系統可以在更新某些Bank的時候,存取其他Bank的資料,可擁更多的儲存空間,使電腦順暢同時多工運作。

DDR5 SODIMM的Burst Length(DRAM單個讀寫指令可存取的資料量)從DDR4的8增加到16,為DDR4的兩倍,是增加效能的關鍵,這數字決定單一讀寫指令可存取的資料量。

DDR5 SODIMM將On-die ECC糾錯功能直接加入顆粒晶片中,無須透過CPU進行修正,能自行計算並修正記憶體顆粒內部資料存取時產生的錯誤,為系統提供更穩定可靠的運作表現,確保資料精準傳輸。

DDR5 SODIMM的雙通道結構讓單次資料存取寬度變成32位元,擁2組獨立定址的32-Bit子通道。也就是說,DDR5可一次填充處理器的64 Byte快取記憶體區塊,是DDR4兩倍,使電腦多核心應用可有更高的記憶體頻寬,傳輸更多資料,效率大幅提升。

關鍵字: SP廣穎電通 
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