账号:
密码:
CTIMES/SmartAuto / 產品 /   
瑞萨电子第8代IGBT以超低功率损耗提升系统电源效率
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2016年06月14日 星期二

浏览人次:【4496】
  

瑞萨电子(Renesas)推出六款第8代G8H系列绝缘闸双极电晶体(IGBT)新产品,可降低太阳能发电系统的功率调节器的转换损耗,以及降低不断电系统(UPS)的变频器应用。新推出的六款产品版本为650 V/40 A、50 A、75 A,以及1,250 V/25 A、40 A、75 A。瑞萨同时达成内建二极体的1,250V IGBT提供TO-247 plus封装,为系统制造商提供更高的电路组态弹性。

第8代G8H系列IGBT可降低电源转换系统的功率损耗,例如太阳能发电系统的功率调节器与UPS产品。
第8代G8H系列IGBT可降低电源转换系统的功率损耗,例如太阳能发电系统的功率调节器与UPS产品。

瑞萨电子运用其为功率转换领域设计低功耗IGBT的专业技术,使第8代IGBT达到最佳化,并在程序结构中采用独家的通道闸组态。相较于前代IGBT,新款产品可提供更快速的切换效能,它是IGBT效能指数的重要项目,同时藉由降低饱和电压(Vce (sat),注2)以减少导通损耗。另外,第8代装置的效能指数(注3)较第7代IGBT最高提升30%,有助于降低功率损耗并为使用者系统提升整体效能。上述改良对于聚焦于光电(PV)变频器、UPS、工业马达驱动器及功率因数校正(PFC)等电力产业的关键市场而言非常重要。

在太阳能发电系统中,当阳光透过太阳能面板产生的直流电(DC)通过变频器电路转换为交流电(AC)时,不可避免地会发生一些功率损耗。由于上述功率损耗大多数发生在所使用的功率装置,因此降低IGBT的功率损耗将为使用者系统的发电效能带来直接的正面效益。同样地,对于伺服器机房与资料中心内的UPS系统而言,电力必须持续通过电源转换器电路,以监控电源供应是否发生中断,这表示系统运转期间将稳定产生的功率损耗。IGBT效能是降低此功率损耗的关键。

除了变频器电路之外,新款第8代G8H系列装置的快速切换效能亦可运用于其他应用,例如为转换器中的升压电路提供优异的效能。

即日起开始供应第8代IGBT样品。量产时程预定为2016年9月,预估至2017年3月每月产能可达60万颗。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

(1)适用于变频器电路的更快速切换、超低损耗特性

瑞萨运用其长期累积的低损耗IGBT设计专业知识,开发出独家的通道闸组态。新款IGBT采用先进的制程技术,同时达到快速切换效能与低饱和电压(Vce (sat))特性,这些特性决定了IGBT装置的效能指数。因此,其效能指数最高提升30%。另外,瑞萨分析了变频器电路产生功率损耗的因素,并设计新的装置以降低导通与切换损耗。因此大幅降低IGBT功率损耗,减少幅度超过功率转换器电路整体功率损耗的二分之一。

(2)低切换杂讯可免除外部闸极电阻器

IGBT必须在杂讯特性与切换速度之间进行取舍。第8代IGBT可大幅降低切换时的闸极损耗,因此系统制造商可免除过去用于降低杂讯的闸极电阻器。这有助于减少元件数量,并达成更小型的设计。

(3)散热效能优异的TO-247封装;保证运作温度最高可达摄氏175度

TO-247封装的底部采用金属材质,使IGBT功率损耗所产生的热能直接传送至封装外部,达到优异的散热效能。新款装置相容于最高温度摄氏175度,因此可用于因传送大量电力而容易升温的位置。如此有助于提升使用者系统的效能与可靠性。

(4)内建二极体1250V IGBT采用TO-247 plus独立封装版本,可在额定100C提供75 A电流段

由于各种考量,例如热、杂讯及运作品质等,过去75 A电流段的装置通常整合于采用大型封装的模组中。瑞萨透过可达到低损耗及较小晶片尺寸的第8代IGBT技术,实现内建二极体1,250 V IGBT采用独立TO-247 plus封装的目标。藉由采用额定100C的75 A电流段独立封装​​装置,系统制造商可获得独立装置才能提供的更高电路组态弹性,并可轻松提升其系统的功率容量。

關鍵字: IGBT  不斷電系統  UPS  變頻器  絕緣閘雙極電晶體  瑞薩  瑞薩電子  系統單晶片 
相关产品
瑞萨推出支援蓝牙5.0的32位元MCU 扩充内建Arm Cortex-M核心的RA家族
瑞萨推出高整合型ISL78083电源管理IC 简化汽车环景摄影系统电源设计
瑞萨与赛灵思合作开发Versal ACAP叁考设计
瑞萨电子推出全球最小的光耦合器 PCB安装面积可减少35%
瑞萨推出32位元RX23W微控制器 强化Bluetooth 5安全性及隐私性
相关讨论
  相关新品
OMAP 4处理器
原厂/品牌:TI
供应商:TI
產品類別:CPU/MPU
CT49 Memory SiP NAND + DDR3
原厂/品牌:鉅景
供应商:鉅景
產品類別:Memory
CT84 Memory SiP DDR3 Stack
原厂/品牌:鉅景
供应商:鉅景
產品類別:Memory
  相关新闻
» SCHURTER通过奕力解决方案扩展PCAP控制器组合
» 智慧医疗产业前瞻 贸协揭开医材应用新商机
» 瑞萨与MinebeaMitsumi合作开发步进马达解决方案
» IC设计领域奥林匹克大会 台湾论文获选量为全球第四
» ST强化智慧制造布局 满足市场状态监测与预测性维护需求
  相关文章
» 网路边缘之嵌入式视觉处理:Crosslink-NX
» 智慧温室种期最隹化管理系统
» 有助於最新??囗型LED灯小型化之驱动器IC
» 具备共享式之外挂型蓝牙电子锁
» 资料可安全储存在云端...毋庸置疑
  相关资源
» Power Management Solutions for Altera FPGAs

AD

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2020 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw