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ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2021年03月30日 星期二

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半导体供应商意法半导体(ST)宣布推出STGAP系列隔离式闸极驱动器的最新产品STGAP2SiCS,可安全控制碳化矽(SiC)MOSFET,且作业电源电压高达1200V。

意法半导体推出隔离式闸极驱动器,可安全控制碳化矽MOSFET。
意法半导体推出隔离式闸极驱动器,可安全控制碳化矽MOSFET。

STGAP2SiCS能够产生高达26V的闸极驱动电压,将欠压锁定(UVLO)??压提升到15.5V,满足SiC MOSFET开关二极体正常导电要求。如果电源电压低引起驱动电压太低,UVLO保护机制将确保MOSFET处於关断状态,以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入脚位,让设计人员可以定义闸极驱动讯号的极性。

STGAP2SiCS在输入和闸极驱动输出之间设计6kV电气隔离,电隔离有助於确保消费性电子和工业设备的用电安全。4A吸电流/拉电流驱动能力使其适用於高阶家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机、UPS不断电供应系统等设备的高功率转换器、电源和逆变器。

新产品有两种不同的输出配置。第一种配置是提供独立的输出脚位,可使用专用的闸极电阻独立优化通断时间。第二种配置适用於高频硬开关,只有一个输出脚位和有米勒钳位元电路,米勒钳位元用於限制SiC MOSFET闸极━源极电压摆动,防止开关不必要导电,并加强开关的可靠性。输入电路相容最低3.3V的CMOS/TTL逻辑电平讯号,可以轻松地与各种控制器晶片连线。

STGAP2SiCS具有待机模式,有助於降低系统功耗,并具有内部保护功能,包括可防止低压部分和高压驱动通道交叉导电的硬体互锁和热关断。低高压电路之间的传播延迟精确配对,防止周期失真,最大程度地减少电能损耗。整体传播延迟小於75ns,精确的脉冲宽度调变(PWM)控制支援高开关频率。

STGAP2SiCS采用宽体SO-8W封装,在有限的面积内确保8mm的爬电距离。

關鍵字: 闸极驱动器  碳化硅  MOSFET  ST 
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