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英飞凌推新款混合返驰式控制器 支援USB PD快充与适配器成长
 

【CTIMES/SmartAuto 柯紀仁报导】   2021年05月18日 星期二

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快速充电器和适配器的技术和市场迅速发展,持续对电源系统的设计带来挑战。为满足对更高功率密度和能源效率的需求,英飞凌科技旗下XDP系列推出首款非对称半桥返驰式拓扑结构的特定应用标准产品。采用DSO-14 SMD封装的XDPS2201控制器,是一款高度整合、多模式、数位且可编程的混合返驰式控制器,适用於包括USB PD快速充电器及适配器等高功率密度的AC-DC电源供应。

英飞凌非对称半桥返驰式拓扑结构采用CoolMOS MOSFET,以非对称控制方式驱动高端和低端MOSFET,并采用一个整合式高端驱动器,实现无缓冲器设计。
英飞凌非对称半桥返驰式拓扑结构采用CoolMOS MOSFET,以非对称控制方式驱动高端和低端MOSFET,并采用一个整合式高端驱动器,实现无缓冲器设计。

XDPS2201结合传统返驰式拓扑结构的简易性及谐振转换器的效能,提供软性切换来减少切换换损耗以达到高切换频率设计。该款控制器可以在交流线路输入、负载条件和可变输出电压的条件下,实现零电压切换(ZVS)及零电流切换(ZCS)。这项特性对於高频设计搭配平面变压器在USB PD充电器应用中极为有利。

为了在各种输出电压、负载及输入线电压条件下达到最隹效能表现,XDPS2201采用自我调整的智慧型数位演算法。这个演算法支援多模作业,以确保对每种条件选择最适合的操作模式,这麽一来便能持续产生最隹效率。混合返驰式控制器还整合一套全面的保护功能,包括输入电压侦测的开启和关断功能(brown-In/brown-Out)、双位准的过电流、输出过电压、输出欠电压及过温度侦测。

非对称半桥返驰式拓扑结构采用CoolMOS MOSFET,以达到最高的系统效率及功率密度。XDPS2201以非对称控制方式驱动高端和低端MOSFET。这款产品采用一个整合式高端驱动器,可以使得BOM省下多达20个外部元件。该拓扑结构实现无缓冲器设计,并且使用500V以上的高电压MOSFET,从而减少元件的数量和成本。

XDPS2201支援最高的功率密度设计,效率达到93.8%,在不同的交流线电压和负载条件下,平均效率超过92%,具有极隹的成本效益。

XDPS2201采用DSO-14 SMD封装,目前已开始接受订购。

關鍵字: 快速充電  适配器  电源系统  Infineon 
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