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ST推新款MasterGaN4元件 实现高达200W功率转换
 

【CTIMES/SmartAuto 陳雅雯报导】   2021年04月29日 星期四

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半导体供应商意法半导体(ST)推出新MasterGaN4,其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??(GaN)功率电晶体,以及优化的闸极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计。

意法半导体推出新款MasterGaN4元件,实现高达200瓦的高效能功率转换。
意法半导体推出新款MasterGaN4元件,实现高达200瓦的高效能功率转换。

MasterGaN4是意法半导体MasterGaN系列的最新产品,解决了复杂的闸极控制和电路配置挑战,并进一步简化了宽能隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V,可以直接与控制器连线,例如,霍尔效应感测器或微控制器、DSP处理器、FPGA可程式设计元件等CMOS晶片。

GaN电晶体的优势包括出色的开关性能、更高的运作频率、更高效能效,而且发热更少,设计人员可以选用尺寸更小的磁性元件和散热器,以设计出更小、更轻的电源、充电器和转接头。MasterGaN4非常适用於对称半桥拓扑以及软开关拓扑,例如,有源钳位反激式和有源钳位正激式转换器。

4.75V-9.5V的宽电源电压便於MasterGaN4与现有电源轨连线。内建保护功能,包括闸极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护,可进一步简化应用设计。另外还有一个专用的关断脚位。

同时,意法半导体还推出一个MasterGaN4原型开发板(EVALMASTERGAN4)。这块评估板提供使用单一或互补讯号驱动MasterGaN4的全部功能,以及一个可调的死区时间产生器。使用者可以灵活地施加一个单独输入讯号或PWM讯号,??入一个外部自举二极体,隔离逻辑元件和闸极驱动器电源轨,以及使用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。

MasterGaN4现已量产,其采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装,超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。

關鍵字: 功率轉換  GaN  ST 
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