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首款新型TPSMB非对称TVS二极体为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护
 

【CTIMES/SmartAuto Angelia报导】   2024年12月31日 星期二

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Littelfuse今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极体系列,这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极体,专门用於保护汽车应用中的碳化矽(SiC)MOSFET闸极驱动器。 这项创新产品满足下一代电动车(EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供一种结构紧凑的单元件解决方案,取代了传统用於栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS 元件。

专为下一代电动汽车基础设施而设计,为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案
专为下一代电动汽车基础设施而设计,为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案

TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极体具有以下主要特性和优点:

·单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护:取代多个齐纳或TVS二极体,简化设计并减少元件数量

·非对称栅极驱动器电压保护:专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计,这些驱动器需要不同的负电压和正电压额定值

·设计紧凑:该系列产品采用DO-214AA(SMB J-Bend)封装,非常适合空间受限的汽车设计

·车规级品质:通过 AEC-Q101 认证,确保为汽车应用提供最高可靠性

·高功率损耗:600W 峰值脉冲功率损耗(10×1000μs 波形)可针对瞬态过压故障提供强大保护

·低钳位元电压:VC<10V@30A(8/20μs),可提供最隹负栅极驱动保护

·宽频率稳定性:在高达2 MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容,是SiC MOSFET应用的理想之选

·与主流 SiC MOSFET相容:适用於Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET

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