为了提供汽车和工业电源应用超高系统效率和功率密度，英飞凌科技（Infineon）推出全新封装CoolSiC MOSFET 750V G2系列。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK等多种封装，产品组合覆盖在25。C情况下的典型导通电阻(R_DS(on))值60 mΩ。

CoolSiC MOSFET 750 V G2系列创新的顶部散热 Q-DPAK 封装是其核心特性之一，可提供极隹的热性能与可靠性。

此次扩展的产品涵盖多种应用，例如汽车领域的车载充电器和高低压DCDC转换器，以及工业应用中的伺服器和电信开关电源（SMPS）和电动汽车充电基础设施等。其4 mΩ超低导通电阻可支援对静态开关性能有特殊要求的应用，例如高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等，使得设计人员能够开发出更高效、更精简且更可靠的系统，以满足各类严苛的要求。

CoolSiC MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热Q-DPAK封装，该封装可提供极隹的热性能与可靠性。该封装专为轻松应对高功率应用而开发，适合想要突破功率密度和效率极限的设计人员。该技术还具有出色的(R_DS(on)) x Q_OSS和(R_DS(on) ) x Q_fr，可有效降低硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，尤其是在硬开关使用者案例中具有出色的效率。

此外，CoolSiC MOSFET 750 V G2兼具高??值电压 V_GS(th) （摄氏25度情况下典型值为4.5 V）和超低 Q_GD/Q_GS 比值，增强其对寄生导通（PTO）的抗扰性。该系列具有更强大的闸极驱动能力，支援的静态闸极电压和瞬态闸极电压分别可达 -7 V和 -11 V。这种增强的耐压性为工程师提供更大的设计裕度，实现与市面上其他元件的高度相容。现已推出 CoolSiC MOSFET 750 V G2和D2PAK的样品。