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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2021年03月26日 星期五

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英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合,推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器,采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术,提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合,因此有助於降低BOM,并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计。其中,快速位准偏移(FLS)系列专为SMPS和UPS等高频应用,以及工业马达和嵌入式变频器、家电、电动工具、风扇及帮浦的马达控制等应用特别设计。

英飞凌650V快速位准偏移SOI EiceDRIVER具重复300ns宽脉冲的-100V负VS瞬态电压抗扰性,支援优异的强固性与可靠的运作。
英飞凌650V快速位准偏移SOI EiceDRIVER具重复300ns宽脉冲的-100V负VS瞬态电压抗扰性,支援优异的强固性与可靠的运作。

EiceDRIVER 2ED2110S06M为2.5A大电流驱动器,而EiceDRIVER 2ED2101/03/04为0.7A小电流驱动器。小电流装置采用DSO-8封装,而2.5A驱动器采用DSO-16W封装。这些装置具备90ns传播延迟与紧密的10ns最大传播延迟匹配,能支援500kHz范围内的高频切换及传统的马达控制应用。2ED2110S06M 支援关机功能、独立逻辑与电源接地。整合式靴带提供超快速反向恢复二极体及典型的30?导通电阻。

具重复300ns宽脉冲的-100V负VS瞬态电压抗扰性,支援优异的强固性与可靠的运作。具有跨导逻辑的整合死区时间,以及可用於高低侧电压供应的独立欠压锁定(UVLO),能提供安全操作。EiceDRIVER 2ED2110S06M与2ED2101/03/04 S06F能轻松取代前一代 IR(S)2110/2113S 与 IR(S)2101/03/04S装置。

EiceDRIVER 2E2110S与2ED2101/03/04以工业标准的DSO-8 (SOIC8)与DSO-16W封装且符合2kV HBM ESD额定值,即日起接受订购。

關鍵字: 二极管  MOSFET  IGBT  闸极驱动器  Infineon 
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