账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
4兆位内存产品已经量产

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2006年07月11日 星期二

浏览人次:【1492】

飞思卡尔半导体发表首款商用磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)组件,并已投入量产。

飞思卡尔的4兆位MRAM产品是一款耐用性极佳的高速非挥发性内存,这种高速且耐用的特性组合是任何半导体记忆装置都无法提供的。该组件系以一百多项飞思卡尔的MRAM专利技术为基础,其中也包括了交替位转换(toggle-bit switching)技术。

MRAM将磁性材质与传统硅晶电路结合,在单一组件中提供具备SRAM速度等级的非挥发性闪存。飞思卡尔推出此项技术的商业应用后,便可促使新一代的电子产品在尺寸、成本、功率消耗及系统性能上获致重大的进展。

飞思卡尔策略与业务开发资深副总裁兼技术长Sumit Sadana指出,「MRAM研发及制造方面的领先成就,证明飞思卡尔有能力将次世代的半导体技术从实验室推向市场,以嘉惠客户,同时也证明飞思卡尔的创新成就,以及致力于提升业界水平的强烈承诺。」

这款名为MR2A16A的飞思卡尔首创商用MRAM产品,适合用于网络、安全、数据储存、娱乐游戏及打印机等多种商业应用。该组件在设计上,便是希望成为可靠、经济的单一组件,以取代使用电池驱动的SRAM装置。本组件也可用于缓冲存储器、组态储存内存,以及各种需要高速、弹性及非挥发性MRAM的应用。

關鍵字: MRAM  飛思卡爾  Sumit Sadana  多次刻录只读存储器 
相关产品
康佳特推出搭载Freecsale i.MX 6的μQseven模组
e络盟推出飞思卡尔塔式系统模块
飞思卡尔传感器软件平台提升数据融合的能力
飞思卡尔极细小的Kinetis KL02微控制器即将大量供应
飞思卡尔为充电的方式重新定义
  相关新闻
» 亚湾2.0以智慧科技领航国际 加速产业加值升级
» 高通执行长Cristiano Amon於COMPUTEX 2024 分享智慧装置上的生成式AI运算
» 应材及东北微电子联手 为MIT.nano??注200mm晶圆研制能力
» 国科会核准科学园区投资案 德商易格斯进驻中科拔头筹
» Honeywell与恩智浦联手利用AI 加强建筑能源智慧管理
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83SC30DRASTACUKP
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw