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【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2021年12月02日 星期四

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Microchip今日宣布扩大其氮化镓(GaN)射频(RF)功率元件产品组合,推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路(MMIC)和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率(PAE)和高线性度,为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准。

Microchip扩大GaN射频功率元件产品组合,全新单晶微波积体电路(MMIC)和分离元件,可满足5G、卫星通讯和国防应用的效能要求。
Microchip扩大GaN射频功率元件产品组合,全新单晶微波积体电路(MMIC)和分离元件,可满足5G、卫星通讯和国防应用的效能要求。

新元件采用碳化矽基氮化镓技术制造,提供高功率密度和产量的组合,可在高压下运行,255℃接面温度下使用寿命超过100万小时,与所有Microchip 的GaN射频功率产品一致。这些产品包括覆盖2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化镓MMIC,3dB压缩点(P3dB)射频输出功率高达20W,效率高达25%,以及用于S和X波段的裸晶和封装氮化镓MMIC放大器,PAE高达60%,以及覆盖直流至14 GHz的分离高电子迁移率电晶体(HEMT)元件,P3dB射频输出功率高达100W,最大效率为70%。

Microchip分离产品业务部副总裁Leon Gross表示:「Microchip持续投入打造GaN射频产品系列,以支援从微波到毫米波长所有频率的各种应用。我们的产品组合包括从低功率水准到2.2千瓦的50多种元件。新品跨越了2至20GHz,旨在解决5G和其他无线网路采用的高阶调变技术带来的线性度和效率挑战,以及满足卫星通讯和国防应用的独特需求。」

除了GaN元件以外,Microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓(GaAs)射频放大器和模组、低杂讯放大器、前端模组(RFFE)、变容二极体、萧特基和PIN二极体、射频开关和电压可变衰减器。此外,公司还提供高效能表面声波(SAW)感测器和微机电系统(MEMS)振荡器以及高度整合的模组。这些模组将微控制器(MCU)与射频收发器(Wi-Fi MCU)相结合,支援从蓝牙和Wi-Fi到LoRa的主要短程无线通讯协定。在开发工具方面,Microchip及其经销合作伙伴均提供电路板设计支援,协助客户进行设计。此外,公司还为该款全新GaN产品提供紧凑型模型,让客户能够更容易建立效能模型,加快系统中功率放大器的设计。

今日发布的元件(包括ICP0349PP7-1-300I和ICP1543-1-110I)及其他Microchip射频产品均已投入量产。

*如需了解更多资讯,请浏览Microchip网站。

關鍵字: 射频功率元件  GaN  Microchip 
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