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M31开发台积电28奈米嵌入式快闪记忆体制程IP
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年04月17日 星期三

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圆星科技(M31 Technology)宣布,将在台积电28奈米嵌入式快闪记忆体制程技术 (TSMC 28nm Embedded Flash Process) 开发SRAM Compiler IP,这些IP解决方案将能协助设计人员提升在行动装置、电源管理、物联网,车用电子等应用的SoC功耗表现。此系列矽智财预计於今年第3季提供客户设计整合使用。

M31董事长林孝平表示,?随着网路传输频宽的不断加大,资料运算与储存需求日增。圆星科技在台积电领先业界的28奈米嵌入式快闪记忆体制程开发的IP,除了可以缩短设计周期,同时能降低SoC功耗并提高效能,可广泛应用於高速的资料处理、电源管理,物联网、车用电子,以及行动通讯等产品的设计上」。

台积电设计建构行销事业处资深处长Suk Lee表示,「嵌入式快闪记忆体技术对於支援智慧行动,汽车电子和物联网等广泛应用至关重要。藉由M31与台积电28奈米嵌入式快闪制程技术努力合作开发的IP,将有助於设计人员优化SoC,实现速度,面积和功耗之间的成功平衡。」

M31以台积电28奈米嵌入式快闪记忆体制程技术开发的SRAM Compiler IP功能齐全,支援多种节能模式, 使用者可依据不同操作状态,切换到当下最隹省电模式,来延长行动元件电池的使用时间,以提供客户更多元的产品运用。基於优异的技术特性,此系列IP可以完全整合在嵌入式快闪记忆体制程平台上,预计今年第3季提供知名国际大厂采用。

關鍵字: m31  台積電 
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