东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流（DC）额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用，如光伏发电系统、储能系统等。如上所述的工业应用一般使用DC1000V或更低的电源，其功率元件多为1200V或1700V产品，而预计未来几年DC1500V将会广泛使用。

东芝首款2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 有助於工业设备高效率和小型化。（source：TOSHIBA）

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏源导通电压（感测）。它还具有较低的开启和关闭开关损耗，分别为14mJ（典型值）和11mJ（典型值） ，与典型的矽（Si）IGBT相比，降低约90%，这些特性有助於提高设备效率。实现低开关损耗还可以将传统的三电平电路替换为模块数较少的两电平电路，从而有助於设备的小型化。

因应工业设备高效率和小型化的需求，MG250YD2YMS3适用於可再生能源发电系统（光伏发电系统等）、储能系统、工业设备用电机控制设备以及高频DC-DC转换器等工业设备领域。MG250YD2YMS3目前已供货。