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Microchip擴大氮化鎵(GaN)射頻功率元件產品組合
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2021年12月02日 星期四

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Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵(GaN)射頻(RF)功率元件產品組合,推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路(MMIC)和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率(PAE)和高線性度,為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準。

Microchip擴大GaN射頻功率元件產品組合,全新單晶微波積體電路(MMIC)和分離元件,可滿足5G、衛星通訊和國防應用的效能要求。
Microchip擴大GaN射頻功率元件產品組合,全新單晶微波積體電路(MMIC)和分離元件,可滿足5G、衛星通訊和國防應用的效能要求。

新元件採用碳化矽基氮化鎵技術製造,提供高功率密度和產量的組合,可在高壓下運行,255℃接面溫度下使用壽命超過100萬小時,與所有Microchip 的GaN射頻功率產品一致。這些產品包括覆蓋2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化鎵MMIC,3dB壓縮點(P3dB)射頻輸出功率高達20W,效率高達25%,以及用於S和X波段的裸晶和封裝氮化鎵MMIC放大器,PAE高達60%,以及覆蓋直流至14 GHz的分離高電子遷移率電晶體(HEMT)元件,P3dB射頻輸出功率高達100W,最大效率為70%。

Microchip分離產品業務部副總裁Leon Gross表示:「Microchip持續投入打造GaN射頻產品系列,以支援從微波到毫米波長所有頻率的各種應用。我們的產品組合包括從低功率水準到2.2千瓦的50多種元件。新品跨越了2至20GHz,旨在解決5G和其他無線網路採用的高階調變技術帶來的線性度和效率挑戰,以及滿足衛星通訊和國防應用的獨特需求。」

除了GaN元件以外,Microchip的射頻半導體產品組合包括砷化鎵(GaAs)射頻放大器和模組、低雜訊放大器、前端模組(RFFE)、變容二極體、蕭特基和PIN二極體、射頻開關和電壓可變衰減器。此外,公司還提供高效能表面聲波(SAW)感測器和微機電系統(MEMS)振盪器以及高度整合的模組。這些模組將微控制器(MCU)與射頻收發器(Wi-Fi MCU)相結合,支援從藍牙和Wi-Fi到LoRa的主要短程無線通訊協定。在開發工具方面,Microchip及其經銷合作夥伴均提供電路板設計支援,協助客戶進行設計。此外,公司還為該款全新GaN產品提供緊湊型模型,讓客戶能夠更容易建立效能模型,加快系統中功率放大器的設計。

今日發佈的元件(包括ICP0349PP7-1-300I和ICP1543-1-110I)及其他Microchip射頻產品均已投入量產。

*如需瞭解更多資訊,請瀏覽Microchip網站。

關鍵字: 射頻功率元件  GaN  Microchip 
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