帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
華虹半導體第二代90nm G1 eFlash製程平台成功量產
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2017年12月27日 星期三

瀏覽人次:【4164】

華虹半導體宣佈其第二代90奈米嵌入式快閃記憶體90nm G2 eFlash製程平台已成功實現量產,技術實力和競爭力再度加強。

華虹半導體第二代90nm G1 eFlash 工藝平台成功量產
華虹半導體第二代90nm G1 eFlash 工藝平台成功量產

華虹半導體在第一代90奈米嵌入式快閃記憶體(90nm G1 eFlash)製程技術積累的基礎上,於90nm G2 eFlash製程平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸,較第一代減小約25%,為目前全球晶圓代工廠90奈米製程節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸。此外,90nm G2採用了新的Flash IP設計架構,在保證高可靠性 (即10萬次讀寫及25年資料保持能力) 的同時,提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此,90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體晶片面積,從而在單片晶圓上擁有更多的裸晶片數量,尤其對於具有高容量eFlash的晶片產品,90nm G2 eFlash的面積優勢更為顯著。值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩,使得製造成本更低。

目前,90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產,成功用於大規模生產電信卡晶片,並將為智慧卡晶片、安全晶片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的晶片製造技術解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:「第二代的90nm G2 eFlash製程的成功量產,標誌著華虹半導體在特色化嵌入式快閃記憶體技術上的又一次成功。嵌入式非易失性記憶體技術是我們的戰略重點之一,長期以來憑藉著高安全性、高穩定性、高性價比以及技術先進性在業界廣受認可。作為全球領先的智慧卡IC代工廠,華虹半導體將堅持深耕,不斷優化製程,升級平台,持續領航智慧IC卡代工領域,並大力發力物聯網、新能源汽車等高增長新興市場。」

關鍵字: 嵌入式快閃記憶體  華虹 
相關產品
Altera下一代非揮發性MAX 10 FPGA已供貨
宇瞻與SST合推嵌入式快閃記憶體儲存媒體元件
  相關新聞
» 工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量
» 安立知以全方位無線通訊方案引領探索6G時代
» 再生能源成長創新高 但發展程度並不平均
» 意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力
» Pure Storage攜手NVIDIA加快企業AI導入 以滿足日益成長的需求
  相關文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制
» 以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 智慧家居大步走 Matter實現更好體驗與可靠連結
» 車載軟體數量劇增 SDV硬體平台方興未艾

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.238.233.189
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw