帳號:
密碼:
CTIMES/SmartAuto / 產品 /   
英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出新封裝
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年08月07日 星期三

瀏覽人次:【621】
  

相較於傳統 3 階中點箝位拓撲,進階中點箝位 (ANPC) 變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 與 IGBT 功率模組新增採用 ANPC 拓撲的 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對 CoolSiC MOSFET 和 TRENCHSTOP IGBT4 晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化,因此具有更高的功率密度及高達 48 kHz 的切換頻率,特別適合新一代 1500 V 太陽能光電和儲能應用的需求。

英飛凌混合式EasyPACK 2B此模組分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化,因此具有更高的功率密度及高達 48 kHz 的切換頻率,特別適合新一代1500V太陽能光電和儲能應用的需求。
英飛凌混合式EasyPACK 2B此模組分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化,因此具有更高的功率密度及高達 48 kHz 的切換頻率,特別適合新一代1500V太陽能光電和儲能應用的需求。

全新 ANPC 拓撲支援 99% 以上的系統效率。比起具有較低切換頻率的裝置,在像是 1500 V太陽能串列型變頻器的 DC/AC 級中實作混合式 Easy 2B 功率模組,可實現更小的線圈。因此,其重量將遠低於採用全矽組件的相應變頻器。除此之外,使用碳化矽的損耗也小於矽的損耗,如此一來,須排放的熱減少了,也可縮小散熱器的尺寸。整體來說,可打造更精巧外型的變頻器,並節省系統成本。相較於 5 階拓撲,3 階的設計可降低變頻器設計的複雜度。

採用Easy 2B 標準封裝的功率模組具有領先業界的低雜散電感特性。此外,CoolSiC MOSFET 晶片的整合式本體二極體可確保低損耗續流功能,無須額外的 SiC 二極體晶片。NTC 溫度感測器有助於監控裝置,PressFIT 壓接技術則可縮短生產時的組裝時間。

關鍵字: Infineon(英飛凌
相關產品
英飛凌推出CoolSiC MOSFET評估板 適用於最高7.5kW馬達驅動
英飛凌推出兩款工業級產品CoolGaN 400V與CoolGaN 600V
儒卓力提供英飛凌超高精度且穩定的工業用電流感測器
英飛凌雷達技術助力Google Pixel 4實現手勢控制功能
LED驅動器的高效NFC編程方法:英飛凌NLM0010和NLM0011 IC
相關討論
  相關新品
Arduino Motor Shield
原廠/品牌:RS
供應商:RS
產品類別:PC Board
mbed
原廠/品牌:RS
供應商:RS
產品類別:PC Board
Arduino
原廠/品牌:RS
供應商:RS
產品類別:PC Board
  相關新聞
» Wi-Fi塞車掰掰 HEW將密集環境使用者傳輸率提升四倍
» 鎧俠株式會社推出業界首款512GB汽車UFS
» 2019台灣羅德史瓦茲年度科技論壇 探索5G無限可能
» 科技部長陳良基視察中科 為導入智慧生產及智慧環控廠商加持
» 美光推出全球首款雲端管理影片監視應用1TB工業級microSD
  相關文章
» 非揮發性記憶體暫存器:新一代數位溫度感測器安全性和可靠性大躍進
» 強化學習:入門指南
» 車聯網通訊服務之來龍去脈
» 使用各類感測器開發視覺系統:在嵌入式應用中整合圖像、雷達、ToF感測器
» 新世代變頻器-數位化、強固性、高整合能力
  相關資源
» Power Management Solutions for Altera FPGAs

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2019 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw