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英飛凌推新款混合返馳式控制器 支援USB PD快充與適配器成長
 

【CTIMES/SmartAuto 柯紀仁報導】   2021年05月18日 星期二

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快速充電器和適配器的技術和市場迅速發展,持續對電源系統的設計帶來挑戰。為滿足對更高功率密度和能源效率的需求,英飛凌科技旗下XDP系列推出首款非對稱半橋返馳式拓撲結構的特定應用標準產品。採用DSO-14 SMD封裝的XDPS2201控制器,是一款高度整合、多模式、數位且可編程的混合返馳式控制器,適用於包括USB PD快速充電器及適配器等高功率密度的AC-DC電源供應。

英飛凌非對稱半橋返馳式拓撲結構採用CoolMOS MOSFET,以非對稱控制方式驅動高端和低端MOSFET,並採用一個整合式高端驅動器,實現無緩衝器設計。
英飛凌非對稱半橋返馳式拓撲結構採用CoolMOS MOSFET,以非對稱控制方式驅動高端和低端MOSFET,並採用一個整合式高端驅動器,實現無緩衝器設計。

XDPS2201結合傳統返馳式拓撲結構的簡易性及諧振轉換器的效能,提供軟性切換來減少切換換損耗以達到高切換頻率設計。該款控制器可以在交流線路輸入、負載條件和可變輸出電壓的條件下,實現零電壓切換(ZVS)及零電流切換(ZCS)。這項特性對於高頻設計搭配平面變壓器在USB PD充電器應用中極為有利。

為了在各種輸出電壓、負載及輸入線電壓條件下達到最佳效能表現,XDPS2201採用自我調整的智慧型數位演算法。這個演算法支援多模作業,以確保對每種條件選擇最適合的操作模式,這麼一來便能持續產生最佳效率。混合返馳式控制器還整合一套全面的保護功能,包括輸入電壓偵測的開啟和關斷功能(brown-In/brown-Out)、雙位準的過電流、輸出過電壓、輸出欠電壓及過溫度偵測。

非對稱半橋返馳式拓撲結構採用CoolMOS MOSFET,以達到最高的系統效率及功率密度。XDPS2201以非對稱控制方式驅動高端和低端MOSFET。這款產品採用一個整合式高端驅動器,可以使得BOM省下多達20個外部元件。該拓撲結構實現無緩衝器設計,並且使用500V以上的高電壓MOSFET,從而減少元件的數量和成本。

XDPS2201支援最高的功率密度設計,效率達到93.8%,在不同的交流線電壓和負載條件下,平均效率超過92%,具有極佳的成本效益。

XDPS2201採用DSO-14 SMD封裝,目前已開始接受訂購。

關鍵字: 快速充電  適配器  電源系統  Infineon(英飛凌
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