帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌擴展CoolSiC系列高電壓產品 符合1500 VDC應用需求
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年06月08日 星期三

瀏覽人次:【1905】

高功率密度的需求日益成長,因此推動了開發人員在其應用中採用1500 VDC系統規格,以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過,1500 VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰,例如在高DC電壓下快速切換,這通常需要多層次拓撲,因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量。

英飛凌擴展CoolSiC系列推出2 kV電壓等級產品,為1500 VDC應用帶來便利的高功率密度解決方案
英飛凌擴展CoolSiC系列推出2 kV電壓等級產品,為1500 VDC應用帶來便利的高功率密度解決方案

為了解決這項問題,英飛凌科技股份有限公司宣布擴展其CoolSiC產品組合高電壓解決方案,為新一代的光伏系統、電動車充電及儲能系統奠定基礎。

擴展的CoolSiC系列包括2 kV碳化矽(SiC)MOSFET以及2kV SiC二極體,適用於高達1500 VDC的應用。全新SiC MOSFET透過單一封裝提供低切換損耗與高阻斷電壓,最能符合1500 VDC系統的需求。

全新2 kV CoolSiC技術可提供低洩極源極導通電阻(RDS(on))值。另外,堅固的本體二極體適合硬切換控制。與1700 V SiC MOSFET相比,這項技術實現足夠的過電壓裕度,並使宇宙射線造成的FIT率降低10倍。此外,擴增的閘極電壓操作範圍使元件更易於使用。

新款SiC MOSFET晶片是以英飛凌最新推出的先進SiC MOSFET技術「M1H」為基礎。這項新技術可明顯擴增閘極電壓範圍,因此可改善晶片的導通電阻。

同時,增加的閘極電壓範圍可對閘極控制閘極驅動電路雜散的電壓峰值提供高穩定性,即使在高切換頻率下,也不會受到任何限制。英飛凌提供一系列EiceDRIVER閘極驅動器,其功能性隔離可達2.3 kV,以支援2 kV SiC MOSFET。

採用EasyPACK 3B與62mm模組的2 kV CoolSiC MOSFET的樣品目前已開始供貨,之後將推出新款高電壓分立式TO247-PLUS封裝。此外,英飛凌提供含有2.3 kV隔離功能EiceDRIVER的系列產品設計(design-in eco-system)。

Easy 3B(DF4-19MR20W3M1HF_B11)計畫於2022年第3季開始生產,這是一款含有4個升壓電路的電源模組,可作為MPPT級1500 V PV串列型逆變器。而採用半橋式組態(3、4、6 mΩ)的62mm 模組將於2022年第4季投入生產。採用近期獲獎的.XT互連技術的分立式裝置預計將於2022年底上市。

關鍵字: Infineon(英飛凌
相關產品
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度
英飛凌全新PSoC車規級 微控制器系列支援第五代 CAPSENSE技術
英飛凌混合型 ToF(hToF)新品賦能新一代智慧型機器人
  相關新聞
» 工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量
» 安立知以全方位無線通訊方案引領探索6G時代
» 再生能源成長創新高 但發展程度並不平均
» 意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力
» Pure Storage攜手NVIDIA加快企業AI導入 以滿足日益成長的需求
  相關文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制
» 以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 智慧家居大步走 Matter實現更好體驗與可靠連結
» 車載軟體數量劇增 SDV硬體平台方興未艾

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.54.163.62.42
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw