Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET—DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，進一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產品陣容。此系列N通道MOSFET產品可滿足市場對SiC解決方案不斷成長的需求，提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器(OBC)、高效DC-DC轉換器、馬達驅動器及牽引變流器。

Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET，可提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度。

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200V_DS範圍內安全可靠地運作，其閘極-源極 (Gate-Source) 電壓 (Vgs) 為 +15/-4V，且在_15Vgs時具有 75m? (典型值) 的 R_DS(ON) 規格。此裝置適用於 OBC、汽車馬達驅動器、EV/HEV中的DC-DC轉換器以及電池充電系統。

DMWSH120H28SM4Q可在最高1200V_DS、+15/-4V_gs 的條件下運作，且在 15V_gs時具有較低的20mΩ (典型值) R_DS(ON) 。此 MOSFET適用於其他EV/HEV子系統中的馬達驅動器、EV牽引變流器及DC-DC轉換器。憑藉低 R_DS(ON) 的特性，在需要高功率密度的產品應用中，此系列MOSFET能以較低的溫度運作。

這兩款產品均有低導熱率 (R_θJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q的汲極電流高至40A，DMWSH120H28SM4Q 的汲極電流高至100A。此系列也內建快速且穩健的本體二極體，具有低反向復原電荷 (Q_rr)，在 DMWSH120H90SM4Q中為108.52nC，在DMWSH120H28SM4Q中為 317.93nC，能夠執行快速切換並降低功率損耗。

此系列裝置採用TO247-4 (WH型)封裝，提供額外的凱氏感測 (Kelvin-sensing) 接腳。DMWSH120H90SM4Q與DMWSH120 H28SM4Q均符合AEC-Q101標準。