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英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET 新添PQFN封裝40V裝置
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年11月03日 星期二

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當代的電源系統設計需要高功率密度和精巧的外型尺寸,進而得到最高的系統級效能。英飛凌科技專注於強化元件級的系統創新,來應對上述挑戰。繼2月份推出25V裝置後,英飛凌再推出OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET,採用源極底置(Source-Down;SD)的PQFN封裝,尺寸為3.3 x 3.3mm2,適用於伺服器的SMPS、電信和OR-ing,還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。

OptiMOS SD 40V低電壓功率MOSFET提供兩種版本:標準版和中央閘極版。中央閘極版針對多部裝置並聯作業進行最佳化。
OptiMOS SD 40V低電壓功率MOSFET提供兩種版本:標準版和中央閘極版。中央閘極版針對多部裝置並聯作業進行最佳化。

英飛凌指出,SD封裝的內部採用上下倒置的晶片,如此一來,源極電位(而非汲極電位)就能透過導熱片連接至PCB。與現有技術相比,該封裝最終可使RDS(on)銳減25%。

此外,與傳統PQFN封裝相比,接面與外殼間的熱阻(RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS可承受高達194A的高連續電流。

經過最佳化的配置可能性和更有效的PCB利用,SD封裝更可實現更高的設計靈活性與效能。

OptiMOS SD 40 V 低電壓功率MOSFET提供兩種版本:標準版和中央閘極版。中央閘極版針對多部裝置並聯作業進行最佳化。兩個版本皆採用PQFN 3.3 x 3.3mm2封裝,即日起接受訂購。

關鍵字: MOSFET  Infineon(英飛凌
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